[发明专利]一种ZnO粉末的提纯方法

权利要求书

1.一种ZnO粉末的提纯方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一，清洗石英安瓿

将石英安瓿放入氢氟酸和硝酸混合溶液(氢氟酸和硝酸配比为3:1)中浸泡3-5分钟，然后用去离子水将石英安瓿反复清洗后烘干；

步骤二：去原料中的低温易挥发的杂质：

将ZnO粉末与石墨粉按一定质量(50:1-300:1)比例放入步骤一所述的石英安瓿内，抽真空至10^-5Pa-10^-4Pa后，再将该石英安瓿放置在竖式管式炉中，控制料区温度在100℃-300℃范围内，保温1-3小时，待管内真空度达到恒定的最大值时，利用氢氧焰喷枪将石英安瓿管口封结；

步骤三：ZnO粉末提纯：

将封结后的石英安瓿放入水平管式炉内，控制原料区(ZnO粉末与石墨粉所在的高温区)温度至1000℃-1200℃，结晶端(石英安瓿的另一端即为低温区)温度至980℃-1180℃，所述原料区和结晶端的温差在100℃以内，提纯时间为5-10天，后经过5-10小时降温至室温，在结晶端即得到提纯后的ZnO多晶体，石墨粉全部分布在料区石英管壁，在结晶端无石墨粉。

2.如权利要求1所述的一种ZnO粉末的提纯方法，其特征在于步骤一中所述的ZnO粉末与石墨粉按质量比为为50:1-300:1。

3.如权利要求1所述的一种ZnO粉末的提纯方法，其特征在于提纯后的ZnO粉末的纯度达到了99.999％。

4.如权利要求1所述的一种ZnO粉末的提纯方法，其特征在于能有效除去原料中的痕量杂质元素，如深能级、多能级的Ag、Cu、Pb、Pt等重金属离子，以及低温易挥发的杂质离子。