[发明专利]一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管在审
| 申请号： | 201410334950.8 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104103692A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王伟;高健;张露;岳工舒;张婷;李娜;杨晓 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 峰值 掺杂 结合 对称 线性 结构 纳米 场效应 | ||
【权利要求书】：
1.一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，其特征在于，该场效应管包括源极Vs、漏极VD、沟道、栅氧化层(2)和双栅极VG结构，所述沟道由碳纳米管层构成，在所述碳纳米管层上从临近源极一端向临近漏极一端依次为N型重掺杂区(3)、线性掺杂结构(5)、峰值掺杂结构(4)、本征碳纳米管(6)、线性掺杂结构(5)、N型重掺杂区(3)；栅氧化层(2)位于碳纳米管层的两侧，在两栅氧化层(2)的外侧设有栅极(1)形成双栅极结构。
2.根据权利要求1所述的一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，其特征在于，所述的双栅极结构为关于沟道对称的两个栅极(1)，所述的两个栅极(1)为同种电介质材料填充形成。
3.根据权利要求1或2所述的一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，其特征在于，所述碳纳米管上的临近源极一端的N型重掺杂区(3)和线性掺杂结构(5)构成源扩展区，长度为LS，临近漏极一端的N型重掺杂区(3)和线性掺杂结构(5)构成漏扩展区，长度为LD，其中LS＝LD。
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