[发明专利]在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法有效
申请号: | 201410335136.8 | 申请日: | 2014-07-15 |
公开(公告)号: | CN104140075A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 裴为华;张贺;王宇;陈远方;陈弘达 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;A61M37/00;A61B5/04;A61B10/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 衬底 表面 制作 硬质 阵列 方法 | ||
1.一种在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法,包括如下步骤:
步骤1:在一硅片上生长一层第一Parylene薄膜;
步骤2:在第一Parylene薄膜的表面旋涂一层柔性聚合物层,加热固化;
步骤3:将柔性聚合物层从第一Parylene薄膜表面揭下;
步骤4:在与第一Parylene薄膜接触的那一面的柔性聚合物层上生长一层第二Parylene薄膜;
步骤5:在生长有第二Parylene薄膜的柔性聚合物层上旋涂一层聚二甲基硅氧烷层,加热固化;
步骤6:在一金属或半导体材料上双面生长一层二氧化硅薄膜;
步骤7:将二氧化硅薄膜与PDMS层同时用氧等离子体处理后,键合在一起;
步骤8:将PDMS层从第二Parylene薄膜表面揭下;
步骤9:在金属或半导体材料未用于键合的一面的二氧化硅薄膜上旋涂一层均匀的光刻胶,通过光刻形成圆形光刻胶阵列;
步骤10:刻蚀二氧化硅薄膜与金属或半导体材料,刻蚀深度到达PDMS层的表面,得到柔性衬底的硬质微柱阵列,形成基片;
步骤11:在PDMS层表面旋涂一层光刻胶,然后将基片放在腐蚀液中,将基片上的硬质微柱阵列腐蚀出针尖形状,完成制备。
2.如权利要求1所述的在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法,其中PDMS层的厚度为100-500微米。
3.如权利要求1所述的在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法,其中金属或半导体材料的厚度为100-200微米。
4.如权利要求1所述的在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法,其中步骤7中键合时氧气流量为1.5l/min,射频功率为120w,处理时间为20s。
5.如权利要求1所述的在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法,其中第一柔性聚合物层的材料是聚酰亚胺、PDMS、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
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