[发明专利]一种射频滤波电路

权利要求书

1.一种射频滤波电路，包括至少两级谐振模块（1、2），其特征在于， 在相邻两个谐振模块之间串联有变容耦合部（4），所述变容耦合部（4）包括隔直通交电容（C4）和受控于调谐电压电路（3）的耦合变容二极管（D5）；所述调谐电压电路（3）改变谐振模块频点的同时，改变耦合变容二极管（D5）的容值，达到在谐振模块的高、低频点变化时，所述射频滤波电路的带宽基本相同。

2.根据权利要求1所述的射频滤波电路，其特征在于：所述谐振模块为两级，其中第一谐振模块，用于接收射频信号，允许谐振频率附近的频谱通过，而滤除远离谐振频率的频谱；第二谐振模块与第一谐振模块谐振在同一频点，用于接收射频信号，选择谐振频率附近的频谱通过，使得对谐振频率有更好的选择性，而对远离谐振频率的频谱产生抑制。

3.根据权利要求1或2所述的射频滤波电路，其特征在于：所述调谐电压电路随着预设谐振频率的升高，其输出电压相应地升高，反之，则下降；所述变容二极管，所述调谐电压电路的输出电压的升高，其容值相应地减小，反之，则升高。

4.根据权利要求2或3所述的射频滤波电路，其特征在于：所述第一谐振模块包括第一电容（C1），所述第一电容（C1）第一端连接输入端，第一电容（C1）的第二端连接第一电感（L1）第一端与第二电容（C2）第一端，第一电感（L1）第二端与第二电容（C2）第二端接地；第三电容（C3）第一端连接第一电容（C1）的第二端与第一电感（L1）、第二电容（C2）的第一端，第三电容（C3）第二端与第一变容二极管（D1）的阴级连接，第一变容二极管（D1）的阳极接地。

5.根据权利要求2或3所述的射频滤波电路，其特征在于：所述第二谐振模块包括第二电感（L2），所述第二电感（L2）的第一端连接耦合变容二极管（D5）的阳极，第二电感（L2）第二端接地；第二电感（L2）的第一端依次连接第五电容（C5）、第六电容（C6）和第七电容（C7）的第一端；第五电容（C5）的第二端接地；第六电容（C6）的第二端连接第二变容二极管的阴级；第二变容二极管的阳极接地；第七电容第一端连接第六电容的第一端，第七电容的第二端连接第八电容的第一端，并通过第八电容的第一端连接输出端；第八电容的第二端接地。

6.根据权利要求1、2或3所述的射频滤波电路，其特征在于：所述变容耦合部包括耦合变容二极管（D5）和第四电容（C4），所述第四电容（C4）第二端与耦合变容二极管（D5）的阴级连接，第四电容（C4）的第一端连接第一谐振模块；耦合变容二极管（D5）的阳极连接第二谐振模块。

7.根据权利要求1、2或3所述的射频滤波电路，其特征在于：所述调谐电压电路，包括第三电阻（R3），所述第三电阻（R3）的第一端接谐振电压，所述第三电阻（R3）的第二端接第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第四电阻（R4）的第一端；第一电阻（R1）的第二端接第一变容二极管（D1）的阴极；第二电阻（R2）的第二端接第二变容二极管（D2）的阴极；第四电阻（R4）的第二端接耦合变容二极管（D5）的阴极和第四电容（C4）的第二端；谐振电压由数模转换器控制。

8.根据权利要求4所述的射频滤波电路，其特征在于：所述变容耦合部包括耦合变容二极管（D5）和第四电容（C4），所述第四电容（C4）第二端与耦合变容二极管（D5）的阴级连接，第四电容（C4）的第一端连接第一谐振模块；耦合变容二极管（D5）的阳极连接第二谐振模块。

9.根据权利要求5所述的射频滤波电路，其特征在于：所述变容耦合部包括耦合变容二极管（D5）和第四电容（C4），所述第四电容（C4）第二端与耦合变容二极管（D5）的阴级连接，第四电容（C4）的第一端连接第一谐振模块；耦合变容二极管（D5）的阳极连接第二谐振模块。

10.根据权利要求7所述的射频滤波电路，其特征在于：所述变容耦合部包括耦合变容二极管（D5）和第四电容（C4），所述第四电容（C4）第二端与耦合变容二极管（D5）的阴级连接，第四电容（C4）的第一端连接第一谐振模块；耦合变容二极管（D5）的阳极连接第二谐振模块。