[发明专利]一种非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：所述非晶氧化物半导体薄膜化学式为Ti_xZnSnO_2x+3，其中0.02≤x≤0.06，所述非晶氧化物半导体薄膜的物理特性如下：

室温生长及400℃条件下退火后均保持非晶相；

可见光透过率大于85%。

2.权利要求1所述非晶氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）以纯度不低于99.99%的TiO₂、ZnO、SnO₂氧化物粉末为原料，按照原子比Ti：Zn：Sn= x：1：1比例混合，经过球磨、干燥、成型、烧结，制成陶瓷靶材，其中0.02≤x≤0.06；

2）利用射频磁控溅射方法，使用步骤1）制备的靶材，在清洗干净的衬底上及室温条件下沉积薄膜，生长条件如下：真空抽至压强低于2×10^-3Pa，通入高纯Ar气，调节腔体压强至1.0-5.0Pa，射频源功率调至100-200W，薄膜生长时间10-20min；

3）步骤2）制备的非晶氧化物半导体薄膜，空气气氛中300-400℃条件下退火，保温时间30-60min。

3.按权利要求2所述一种非晶氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于步骤2）所述衬底可以为硅片、氧化硅片、蓝宝石、石英、玻璃、苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯或聚酰亚胺。

4.权利要求1所述一种非晶氧化物半导体薄膜作为沟道层在薄膜晶体管中的应用。