[发明专利]一种加热腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种加热腔室，所述加热腔室包括第一加热装置和第一晶片，第一加热装置设置在所述第一晶片的上方，第一加热装置用于采用热辐射的方式加热所述第一晶片，其特征在于，所述加热腔室还包括第二加热装置和第二晶片，所述第二晶片设置在所述第一晶片的下方，所述第二加热装置设置在所述第二晶片的下方，所述第二加热装置用于采用热辐射的方式加热所述第二晶片，以实现所述加热腔室同时对所述第一晶片和所述第二晶片加热。

2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述第一加热装置和所述第一晶片之间还设置有透明窗，所述第一加热装置透过所述透明窗朝向所述第一晶片辐射热量，用以加热所述第一晶片。

3.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述第二加热装置和所述第二晶片之间还设置有透明窗，所述第二加热装置透过所述透明窗朝向所述第二晶片辐射热量，用以加热所述第二晶片。

4.根据权利要求2或3所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述透明窗和所述加热腔室的腔室侧壁相接触的位置处设置有密封圈。

5.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述加热腔室还包括在所述加热腔室的腔室侧壁上设置的承载件，借助所述第一晶片或第二晶片下表面的边缘区域叠置在所述承载件的上表面上，用以承载所述第一晶片或所述第二晶片。

6.根据权利要求5所述的半导体加工设备，其特征在于，所述承载件包括多个卡脚，且所述多个卡脚沿所述加热腔室的周向间隔设置。

7.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述多个卡脚沿所述加热腔室的周向间隔且均匀设置。

8.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，每个卡脚上表面的靠近所述加热腔室侧壁的区域形成有凸台。

9.一种半导体加工设备，包括加热腔室，其特征在于，所述加热腔室采用权利要求1-8任意一项所述的加热腔室，用于完成半导体工艺中的加热步骤。

10.根据权利要求9所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括物理气相沉积设备，所述加热腔室包括物理气相沉积设备的去气腔室。