[发明专利]气相沉积设备

权利要求书

1.一种气相沉积设备，所述气相沉积设备包括：

基底安装单元，基底安装在基底安装单元上；

多个第一喷嘴单元，沿着基底安装单元的方向注入第一原材料；

多个第二喷嘴单元，与所述多个第一喷嘴单元交替地设置，沿着基底安装单元的所述方向注入第二原材料；

排气单元和吹扫单元，位于所述多个第一喷嘴单元中的一个第一喷嘴单元和所述多个第二喷嘴单元中的一个第二喷嘴单元之间，并且沿着基底安装单元的移动方向与第一喷嘴单元相邻；

等离子体模块单元，向所述多个第二喷嘴单元提供第二原材料；

限定多个狭缝的第一下部板，可分离地结合到所述多个第一喷嘴单元的下端，

其中，

所述多个第一喷嘴单元中的每个第一喷嘴单元均沿着基底安装单元的所述方向选择性地注入第一原材料和吹扫气体，

第二原材料是自由基，以及

基底安装单元包括静电发生部件。

2.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其中，所述静电发生部件包括被施加直流电压的电极。

3.根据权利要求1所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备还包括选择性地提供第一原材料和吹扫气体的开关单元，

其中，第一喷嘴单元均连接到开关单元。

4.根据权利要求3所述的气相沉积设备，其中，所述开关单元包括：

流入通道，连接到所述多个第一喷嘴单元；

第一原材料通道和吹扫气体通道，均连接到流入通道；以及

设置在第一原材料通道中的第一阀和设置在吹扫气体通道中的第二阀。

5.根据权利要求3所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备还包括：

感测单元，感测基底安装单元的位置；以及

控制单元，接收与基底安装单元的位置对应的位置信息。

6.根据权利要求5所述的气相沉积设备，其中，控制单元根据所述位置信息控制开关单元的操作。

7.根据权利要求6所述的气相沉积设备，其中，当基底安装单元设置在所述多个第一喷嘴单元的下方时，第一喷嘴单元均注入第一原材料。

8.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其中，等离子体模块单元包括：

等离子体发生器；

对应的表面，围绕所述等离子体发生器；以及

等离子体发生空间，限定在等离子体发生器和所述对应的表面之间。

9.根据权利要求8所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备还包括处于等离子体模块单元和所述多个第二喷嘴单元之间的扩散单元。

10.根据权利要求1所述的气相沉积设备，所述气相沉积设备还包括多个第二下部板以及限定在每个第二下部板中的多个狭缝，

其中，所述多个第二下部板分别结合到第二喷嘴单元和吹扫单元的下端。