[发明专利]一种自补偿背封半导体衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201410336664.5 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104112653B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 周源 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 张雪梅,毛唯鸣 |
| 地址： | 100015 北京市朝阳区东直门*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 补偿 半导体 衬底 制备 方法 | ||
1.一种自补偿背封半导体衬底的制备方法，包括：
在第一导电类型重掺杂的半导体基片上表面上形成氧化物层；
以所述第一氧化物层作为掩膜，在所述半导体基片的下表面和侧壁上形成第二导电类型的补偿层，所述第二导电类型不同于第一导电类型；
对所得到的补偿层进行退火，得到包围该基片的氧化物层；
在氧化物层的表面生长本征多晶硅层；
通过刻蚀去除位于所得到结构上表面的本征多晶硅层；
通过腐蚀去除位于所得到结构上表面的氧化物层；以及
在所得到结构的上表面外延生长第二导电类型的外延层。
2.如权利要求1所述的自补偿背封半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述在第一导电类型重掺杂的半导体基片的上表面上形成氧化物层的步骤进一步包括：
通过热扩散在整个基片表面形成氧化物层；
在基片上表面的氧化物层上施加光刻胶；
以所述光刻胶作为掩膜，腐蚀去除基片下表面和侧壁上的氧化物层；
剥离所述光刻胶。
3.如权利要求2所述的自补偿背封半导体衬底的制备方法，其特征在于，通过热扩散在整个基片表面形成氧化物层的步骤进一步包括：
在该半导体基片的上表面的氧化硅物中形成开口；
以该氧化物层作为掩膜，对该半导体基片进行第一导电类型或第二导电类型的掺杂，得到第一导电类型或第二导电类型的埋层区；
对得到的结构进行退火，在基片表面得到厚度范围为的氧化物层。
4.如权利要求1所述的自补偿背封半导体衬底的制备方法，其特征在于，对所得到的补偿层进行退火的温度为900～1100℃。
5.如权利要求1所述的自补偿背封衬底的制备方法，其特征在于，通过LPCVD在氧化物层的表面生长优选厚度为的本征多晶硅层。
6.如权利要求1所述的自补偿背封半导体衬底的制备方法，其特征在于，利用等离子体干法刻蚀去除位于基片上表面上的多晶硅层，并利用湿法腐蚀去除位于基片上表面上的氧化物层。
7.如权利要求1所述的自补偿背封半导体衬底的制备方法，其特征在于，利用常压外延或减压外延的方法生长所述第二导电类型的外延层。
8.如权利要求1所述的自补偿背封半导体衬底的制备方法，其特征在于，通过扩散的方法形成所述第二导电类型的补偿层。
9.如权利要求8所述的自补偿背封半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述第二导电类型补偿层的掺杂浓度大于所述基片的掺杂浓度。
10.如权利要求1所述的自补偿背封半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述半导体基片是硅基片，所述氧化物层是氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
