[发明专利]控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法在审
| 申请号： | 201410337031.6 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105336602A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 周娜;蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 多晶 刻蚀 侧壁 角度 方法 | ||
1.一种控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
对多晶硅层表面的掩膜层进行光刻工艺处理得到纵截面为梯形的沟槽；
对所述沟槽中暴露出来的多晶硅层进行干法刻蚀处理；
所述干法刻蚀处理包括如下步骤：
通入第一气体对所述暴露出来的多晶硅层进行主刻蚀处理直至被刻蚀的多晶硅层的剩余厚度达到预设值为止，所述第一气体包括F基气体；
通入第二气体对剩余的多晶硅层进行过刻蚀处理，所述第二气体包括HBr气体。
2.根据权利要求1所述的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，其特征在于，所述预设值为70nm至150nm。
3.根据权利要求1所述的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，其特征在于，所述的F基气体为CF4，所述CF4的流量为50sccm至100sccm。
4.根据权利要求2所述的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，其特征在于，所述主刻蚀处理中上电极功率为100W至5000W，下电极功率为0W至50W。
5.根据权利要求1所述的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，其特征在于，所述主刻蚀处理中的压力为5mT至50mT。
6.根据权利要求1所述的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，其特征在于，所述HBr气体的流量为50sccm至200sccm。
7.根据权利要求1所述的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，其特征在于，所述过刻蚀处理中上电极功率为500W至2500W，下电极功率为0W至30W。
8.根据权利要求1所述的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，其特征在于，在所述主刻蚀处理中通入的第一气体中还包括O2、Ar和He中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，其特征在于，所述过刻蚀处理中通入的第二气体还包括HeO2、O2、Ar、He和N2中的一种或多种。
10.根据权利要求1所述的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，其特征在于，
所述对多晶硅层表面的掩膜层进行光刻工艺处理是通过负性胶曝光实现的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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