[发明专利]阵列基板、液晶显示装置和阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括数行栅线、数列数据线和由所述数行栅线和数列数据线定义的数个子像素单元，每个子像素单元包括薄膜晶体管源极、薄膜晶体管漏极和像素电极，所述薄膜晶体管源极连接于数据线，所述薄膜晶体管漏极连接于像素电极，其特征在于，

每列数据线包括多段第一数据线段和多段第二数据线段；

所述多段第一数据线段与所述数行栅线位于同一层；

所述多段第二数据线段与所述薄膜晶体管源极、薄膜晶体管漏极和像素电极位于同一层，在每个子像素单元中，薄膜晶体管源极连接于第二数据线段；

所述多段第一数据线段所在层与所述多段第二数据线段所在层被栅极绝缘层分隔；

在每列数据线中，每段第一数据线段分别位于相邻的两行栅线之间，每段第二数据线段分别位于每行栅线处；

在每列数据线中，每段第二数据线段的两端分别通过所述栅极绝缘层上的过孔连接于相邻的两段第一数据线段。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

公共电极和与所述数行栅线位于同一层的数行公共电极线，所述公共电极连接于所述数行公共电极线；

每行公共电极线位于相邻的栅线和第一数据线段之间。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述公共电极为狭缝电极，所述像素电极为板状电极。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述公共电极为板状电极，所述像素电极为狭缝电极。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述多段第二数据线段、所述薄膜晶体管源极、所述薄膜晶体管漏极和所述像素电极由氧化铟锡制成。

6.一种液晶显示装置，其特征在于，包括：

如权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括数行栅线、数列数据线和由所述数行栅线和数列数据线定义的数个子像素单元，每个子像素单元包括薄膜晶体管源极、薄膜晶体管漏极和像素电极，所述薄膜晶体管源极连接于数据线，所述薄膜晶体管漏极连接于像素电极，每列数据线包括多段第一数据线段和多段第二数据线段，所述阵列基板的制作方法包括：

在基板上形成包括所述数行栅线和数列第一数据线段的图案，每列第一数据线段包括多段第一数据线段，每段第一数据线段分别位于相邻的两行栅线之间；

在包括所述数行栅线和数列第一数据线段的图案的基板上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上每段第一数据线段的两端处分别设置过孔；

在包括所述栅极绝缘层的基板上形成包括薄膜晶体管源极、薄膜晶体管漏极、像素电极和数列第二数据线段的图案，每列第二数据线段包括多段第二数据线段，在每列数据线中，每段第二数据线段分别位于每行栅线处，每段第二数据线段的两端分别通过所述栅极绝缘层上的过孔连接于相邻的两段第一数据线段，在每个子像素单元中，薄膜晶体管源极连接于第二数据线段。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述在基板上形成包括所述数行栅线和数列第一数据线段的图案的过程还包括：

在基板上形成数行公共电极线，每行公共电极线位于相邻的栅线和第一数据线段之间；

所述在包括所述数行栅线和数列第一数据线段的图案的基板上形成栅极绝缘层的过程还包括：

在所述栅极绝缘层上公共电极线处设置过孔；

在所述在包括所述栅极绝缘层的基板上形成包括薄膜晶体管源极、薄膜晶体管漏极、像素电极和数列第二数据线段的图案的过程之后，还包括：

在包括所述薄膜晶体管源极、薄膜晶体管漏极、像素电极和数列第二数据线段的图案的基板上形成钝化层，在所述钝化层上公共电极线处设置过孔；

在包括所述钝化层的基板上形成包括公共电极的图案，所述公共电极通过所述栅极绝缘层和钝化层上所述公共电极线处的过孔连接于所述公共电极线。