[发明专利]一种制备高效铸锭多晶的方法有效
| 申请号： | 201410337376.1 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104088013A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 熊震;叶宏亮 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高效 铸锭 多晶 方法 | ||
1.一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于，其包含如下步骤：
(a)提供一硅片，作为软模板；
(b)对硅片双面进行清洗和去损伤层处理；
(c)在硅片的单面制备高熔点的含硅薄膜，作为硬模板；其中，含硅薄膜的熔点高于硅熔点，并且含硅薄膜与硅片的界面保持了硅片表面原子的有序排列；
(d)将生有含硅薄膜的硅片倒扣在生长容器底部，其含硅薄膜面朝向生长容器底部，在其非含硅薄膜面上堆放硅原料。
2.根据权利要求1所述的一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于：在所述的步骤(c)中，在硅片的单面制备含硅薄膜的方法的步骤如下：将石墨烯溶液喷涂至硅片的单面，使其单面生长出碳化硅膜。
3.根据权利要求2所述的一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于：所述的分散石墨烯的溶剂为乙醇或异丙醇或去离子水，分散的浓度为0.001～0.1g/L；喷涂到硅片表面的石墨烯溶液当溶剂挥发后的石墨烯残余固含量为0.001～0.002g。
4.根据权利要求1所述的一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于：在所述的步骤(c)中，在硅片的单面制备含硅薄膜的方法的步骤如下：对硅片的单面进行氧化处理，使其单面生长出氧化硅膜。
5.根据权利要求4所述的一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于：所述的氧化硅膜的厚度为20～5000nm。
6.根据权利要求1所述的一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于：在所述的步骤(c)中，在硅片的单面制备含硅薄膜的方法的步骤如下：在硅片的单面沉积出氮化硅膜。
7.根据权利要求6所述的一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于：所述的氮化硅膜的厚度为20～5000nm。
8.根据权利要求1所述的一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于：在所述的步骤(c)中，在硅片的单面制备含硅薄膜的方法的步骤如下：
(1)在硅片的单面沉积出氮化硅膜；
(2)再对其进行表面处理去除表面部分的氮化硅膜，得到多种形貌的孔状结构，其穿孔部分为裸露的硅片表面；
(3)再对硅片进行氧化处理，其穿孔部分生成氧化硅膜；
(4)最后在硅片上沉积出氮化硅膜，并保证此时的氮化硅膜覆盖住穿孔部分和步骤(1)中已经沉积出的氮化硅膜。
9.根据权利要求1所述的一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于：所述的硅片的厚度为160微米～200微米。
10.根据权利要求1所述的一种制备高效铸锭多晶的方法，其特征在于：在所述的步骤(b)中，所述的去损伤层处理后的硅片表面形貌为平整的平面或金字塔结构的碱绒面或凹坑式的酸绒面。
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