[发明专利]在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法

权利要求书

1.一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤：

将GaN基LED的SiC衬底减薄；

在所述SiC衬底表面形成一层导光层，由此得到具有导光层的SiC衬底的GaN基LED。

2.根据权利要求1所述的在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，其中通过机械研磨工艺将SiC衬底减薄。

3.根据权利要求1所述的在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，其中所述SiC衬底减薄后的厚度在1～200微米之间。

4.根据权利要求1所述的在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，其中所述导光层的材料选自ZnO、Al₂O₃、AlN、SiN、GaN、GaO、SiO₂。

5.根据权利要求1所述的在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，其中所述导光层用粘结剂粘合到SiC衬底上。

6.根据权利要求5所述的在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，其中所述的粘结剂为SOG氧化物，折射率为1.5～2.5，透光率大于85％。

7.根据权利要求1所述的在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，其中所述导光层通过HVPE、MOCVD、PECVD或LPCVD工艺生长在SiC衬底上。

8.根据权利要求1所述的在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，其中在所述的将SiC衬底减薄的步骤之前，还包括下列步骤：

在SiC衬底上生长LED外延片；

利用ICP刻蚀台面、PN电极金属沉积、氧化硅绝缘层制备工艺，制备出P面具有反射金属膜的外延层，利用键合机将外延层与新的衬底键合，形成倒装结构的LED外延片。

9.根据权利要求8所述的在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，其中所述在SiC衬底上生长的LED外延片自下而上依次包括：衬底、AlN缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层。

10.根据权利要求8所述的在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，其中所述新的衬底为Si、SiC或金属衬底。