[发明专利]一种在硅基底上制备高电阻变化率二氧化钒薄膜的方法

权利要求书

1.一种在硅基底上制备高电阻变化率二氧化钒薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1.清洗硅基底：选用双面抛光的Si基底清洗干净，用氮气吹干备用；

步骤2.沉积Al₂O₃缓冲层：采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al₂O₃缓冲层，将Si基底放入原子沉积装置沉积腔中，加热沉积腔至80～120℃，通入氧气与氩气，控制氧气流量为2～20sccm、氩气流量10～20sccm，并保持腔体气压为50～100毫托，打开射频源开关，设置射频功率为180W，通入三甲基铝，沉积得厚度为20～50nm的Al₂O₃缓冲层；

步骤3.溅射制备VO₂薄膜：采用反应磁控溅射技术，以金属钒为靶材，以高纯氧气和氩气为反应气体和溅射气体，抽真空至本底真空2×10^-4～7×10^-4Pa，通入氩气至工作气压0.8～1.2Pa，进行预溅射，预溅射完成后通入氧气，保持氧分压为4～5％，以经步骤2制备有Al₂O₃缓冲层的Si基底为衬底，在450～550℃衬底温度条件下进行反应溅射，溅射功率为180～200W，溅射时间为20～40min，溅射完成后关闭氧气流，自然降温即制备得Si基VO₂薄膜。

2.按权利要求1所述在硅基底上制备高电阻变化率二氧化钒薄膜的方法，其特征在于，所述VO₂薄膜生长在半导体Si上，为单相结构，薄膜厚度为50～250nm,相变电阻变化率达到4个数量级以上，具有(011)择优取向。