[发明专利]一种场效应晶体管TSP参数的提取方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管TSP参数的提取方法，其特征在于，包括如下步骤，

1)将待测场效应晶体管与电压测量单元采用开尔文方式连接，待测器件放入高温箱的箱体内；

2)高温箱设置初始温度为25℃，到达设定温度后保持温度直至待测场效应晶体管的结温与高温箱内温度达到平衡；

3)通过电压测量单元测试待测场效应晶体管的反向击穿电压，得到一组结温和反向击穿电压的数据；

4)在25℃～125℃的范围内，在若干设定温度下，分别重复步骤2)和步骤3)，对应得到若干组结温和反向击穿电压的数据；

5)将所有的反向击穿电压转化为归一化数值BVR_(nor)，然后将结温和对应的归一化数值进行拟合得到一次线性方程T_j＝K*BVR_(nor)+offset，其中，T_j为待测场效应晶体管的结温，offset为T_j截距，得到的K即为场效应晶体管TSP参数。

2.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管TSP参数的提取方法，其特征在于，步骤2)中，达到设定温度后保持温度5～10min。

3.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管TSP参数的提取方法，其特征在于，步骤4)中，设定温度的取值以5℃步进的方式进行。

4.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管TSP参数的提取方法，其特征在于，步骤5)中，在Excel或Original软件中输入T_j和BVR_(nor)数据，绘制成曲线，并用软件自带的拟合功能，拟合出Tj与BVR_(nor)一次线性关系式。

5.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管TSP参数的提取方法，其特征在于，所述的电压测量单元采用功率器件测试仪STI5000C或功率器件测试仪Agilent B1505A。

6.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管TSP参数的提取方法，其特征在于，所述的高温箱采用VTL7006程控温度箱或WGD501高低温试验箱。