[发明专利]一种低成本三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料的制备方法

权利要求书

1.一种低成本三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料的制备方法，其特征在于一种低成本三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料的制备方法是按照以下步骤进行的：

一、将基体材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空至压强为5Pa以下，通入氩气，调节氩气气体流量为10sccm～40sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为100Pa～300Pa，并在压强为100Pa～300Pa和氩气气氛下，在25min内将温度升温至为400℃～600℃；

二、通入甲烷气体，调节甲烷的气体流量为5sccm～40sccm，调节氩气的气体流量为60sccm～95sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa～700Pa，然后在射频功率为150W～250W、压强为200Pa～700Pa和温度为400℃～600℃条件下进行沉积，沉积时间为30min～90min，沉积结束后，关闭射频电源和加热电源，停止通入甲烷气体，在氩气气氛下从温度为400℃～600℃冷却至室温，即得到三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料。

2.根据权利要求1所述的一种低成本三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料的制备方法，其特征在于步骤一中所述的基体材料为三维结构铝基体材料。

3.根据权利要求2所述的一种低成本三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料的制备方法，其特征在于所述的三维结构铝基体材料为泡沫铝、多孔铝或表面腐蚀铝。

4.根据权利要求2所述的一种低成本三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料的制备方法，其特征在于所述的三维结构铝基体材料的厚度为10μm～2000μm。

5.根据权利要求1所述的一种低成本三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料的制备方法，其特征在于步骤一中在25min内将温度升温至为550℃。

6.根据权利要求1所述的一种低成本三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中调节甲烷的气体流量为20sccm，调节氩气的气体流量为80sccm。