[发明专利]电控连续渐变折射率电光晶体偏转器

权利要求书

1.一种电控连续渐变折射率电光晶体偏转器，其特征在于，它包括电光偏转晶体(1)和外加电压(2)，

电光偏转晶体(1)为顺电相电光晶体，沿顺电相电光晶体的生长方向切割获得，该顺电相电光晶体为采用顶部籽晶助溶剂法生长出的组分沿生长方向连续变化的晶体；

将电光偏转晶体(1)放置到待偏转光路中，使入射光束垂直入射于电光偏转晶体(1)表面，所述入射光束的入射方向与电光偏转晶体(1)的生长方向相垂直；沿垂直于电光偏转晶体(1)生长方向施加外加电压(2)，使电光偏转晶体(1)沿生长方向形成渐变折射率梯度分布，进而使电光偏转晶体(1)内部光波等相位面发生偏转，并在其输出端实现光束方向的偏转；所述外加电压(2)的电场方向与光束的入射方向相垂直。

2.根据权利要求1所述的电控连续渐变折射率电光晶体偏转器，其特征在于，所述电光偏转晶体(1)为电光系数梯度分布的钽铌酸钾KTa_1-xNb_xO₃电光晶体，其电光系数梯度分布区间为0.96×10^-15m²V^-2～2.70×10^-15m²V^-2，沿生长方向组分铌Nb的变化区间x为0.359～0.371。

3.根据权利要求2所述的电控连续渐变折射率电光晶体偏转器，其特征在于，所述电光偏转晶体(1)为采用K₂CO₃、Ta₂O₅和Nb₂O₅按照摩尔比例1.04:0.32:0.68配制总质量为100g的原料进行生长获得，该电光偏转晶体(1)在放肩生长阶段的垂直提拉方向尺寸为11.80mm×11.80mm，在等径生长阶段的降温速度为0.4℃/h，其组分铌Nb的梯度分布为0.0031/mm。

4.根据权利要求1、2或3所述的电控连续渐变折射率电光晶体偏转器，其特征在于，所述入射光束为单一波长或多波长的激光束。

5.根据权利要求1、2或3所述的电控连续渐变折射率电光晶体偏转器，其特征在于，外加电压(2)的两个连接端连接在电光偏转晶体(1)的两个相对的表面上，该两个相对的表面上镀银电极。