[发明专利]一种提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法。

背景技术

在半导体制造工艺技术领域，单片机清洗制程时间短，清洗能力强，相较于传统槽式清洗机，避免了酸液的交叉污染，在45～40nm及以下技术节点被大量应用。但是，由于单片机自身的特点，在清洗一些高宽比(＞5)图形的硅片时，清洗能力不如传统槽式机。例如在接触层的制程中，所述接触层刻蚀会在接触层底部形成多晶，所述多晶是绝缘的，如果不被清洗干净，就会造成器件短路，使器件失效。

在现有单片机清洗过程中，硅片快速旋转，酸液垂直喷射到硅片表面以完成清洗。由于所述酸液系垂直喷射到所述硅片之表面，在清洗高宽比图形时，由于酸液的离心力和毛细管现象，酸液很难持续的进入到所述高宽比图形之底部进行清洗，造成清洗不足的问题。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法。

发明内容

本发明是针对现有技术中，传统的单片机清洗之酸液很难持续进入到所述高宽比图形的底部进行清洗，造成清洗不足等缺陷提供一种提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法。

为了解决上述问题，本发明提供一种提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法，所述提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法，包括：

执行步骤S1：单片机酸液喷射装置之喷液头在距离硅片边缘5～10mm处垂直运行，使得所述酸液垂直喷射在所述硅片之表面；

执行步骤S2：单片机酸液喷液装置之喷液头在距离硅片边缘1～5mm处倾斜运动，使得所述酸液呈预设角度喷射在所述硅片之表面。

可选地，所述预设角度之范围为15～90°的任一数值。

可选地，所述高宽比图形的高宽比R＞5。

综上所述，本发明通过单片机酸液喷射装置之喷液头在距离硅片边缘5～10mm处垂直运行，使得所述酸液垂直喷射在所述硅片之表面；同时，通过单片机酸液喷液装置之喷液头在距离硅片边缘1～5mm处倾斜运动，使得所述酸液呈预设角度喷射在所述硅片之表面，不仅增加所述酸液在高宽比图形之硅片上的钻孔能力，提高单片机对高宽比图形的清洗能力，而且保证单片机的去缺陷能力。

附图说明

图1所示为本发明提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法的原理图；

图2所示为本发明提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法的流程图。

具体实施方式

为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。

请参阅图1、图2，图1所示为本发明提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法的原理图。图2所示为本发明提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法的流程图。所述提高单片机对高宽比图形的清洗能力之方法，包括：

执行步骤S1：单片机酸液喷射装置1之喷液头11在距离硅片2之边缘5～10mm处垂直运行，使得所述酸液垂直喷射在所述硅片之表面；

执行步骤S2：单片机酸液喷液装置1之喷液头11在距离硅片2之边缘1～5mm处倾斜运动，使得所述酸液呈预设角度喷射在所述硅片2之表面。

作为具体实施方式，优选地，当所述单片机酸液喷液装置1之喷液头11在距离硅片2之边缘1～5mm处倾斜运动，使得所述酸液呈预设角度喷射在所述硅片之表面，且所述预设角度之范围为15～90°的任一数值。在本发明中，定义所述高宽比图形的高宽比R＞5。

作为本领域技术人员，容易理解地，所述单片机酸液喷液装置1之喷液头11在距离硅片边缘1～5mm处倾斜运动可通过外部程式，或者通过本领域技术人员掌握的常规手段得以实现，非本发明专利所主张的范围。

明显地，本发明通过单片机酸液喷射装置1之喷液头11在距离硅片2之边缘5～10mm处垂直运行，使得所述酸液垂直喷射在所述硅片2之表面；同时，通过单片机酸液喷液装置1之喷液头11在距离硅片2之边缘1～5mm处倾斜运动，使得所述酸液呈预设角度喷射在所述硅片2之表面，不仅增加所述酸液在高宽比图形之硅片2上的钻孔能力，提高单片机对高宽比图形的清洗能力，而且保证单片机的去缺陷能力。