[发明专利]阻变存储装置、其操作方法以及具有其的系统无效
申请号: | 201410339813.3 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN104575593A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 李世昊 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 操作方法 以及 具有 系统 | ||
1.一种阻变存储装置,包括:
存储器单元阵列,其包括多个阻变存储器单元;
地址译码器,其适用于将地址信号译码并且存取所述存储器单元阵列;
读取/写入控制电路,其适用于将所述存储器单元阵列中的数据编程,或者从所述存储器单元阵列中读出数据;
电压发生单元,其适用于产生用于编程操作的编程电压和第一读取电压以及用于读取操作的第二读取电压,并且将所述电压提供至所述地址译码器;以及
控制器,其适用于控制所述电压发生单元以响应于编程命令而产生用于验证所述编程操作的所述第一读取电压,以及响应于读取命令而产生比所述第一读取电压更高的所述第二读取电压。
2.如权利要求1所述的阻变存储装置,其中,所述控制器控制所述读取/写入控制电路以响应于所述编程命令而使用所述编程电压来将所述存储器单元阵列中的所述数据编程、并且使用所述第一读取电压来验证所述存储器单元阵列中的所述数据,以及响应于所述读取命令而使用所述第二读取电压来读出所述存储器单元阵列中被编程的所述数据。
3.如权利要求1所述的阻变存储装置,其中,在所述编程操作之后增加所述阻变存储装置的电阻。
4.如权利要求1所述的阻变存储装置,其中,所述阻变存储器单元是相变随机存取存储器PCRAM单元。
5.如权利要求1所述的阻变存储装置,其中,所述第二电压比所述第一电压更高,且比所述阻变存储器单元的阈值电压更低。
6.一种处理器,包括:
控制单元,其适用于响应于命令信号而产生包括编程命令和读取命令的控制信号;
运算单元,其适用于响应于所述控制信号而对数据执行操作;以及
储存单元,其适用于储存所述数据,并且包括具有多个阻变存储器单元的存储器单元阵列和控制器,所述控制器适用于响应于所述编程命令而将所述存储器单元中的数据编程并且通过第一读取电压来验证所述存储器单元中的所述数据,以及响应于所述读取命令而通过比所述第一读取电压更高的第二读取电压来读出在所述存储器单元中被编程的数据。
7.一种数据处理系统,包括:
主控制器,其适用于将从外部装置输入的命令译码,以输出编程命令和读取命令;
接口,其适用于在所述外部装置和所述主控制器之间交换所述命令和数据;
主储存装置,其适用于储存应用程序、控制信号以及所述数据;以及
辅助储存装置,其适用于储存程序代码或所述数据,
其中,所述主储存装置和所述辅助储存装置中的至少一个包括具有多个阻变存储器单元的存储器单元阵列和控制器,所述控制器适用于响应于所述编程命令而将所述存储器单元中的所述数据编程、并且通过第一读取电压来验证所述存储器单元中的所述数据,以及响应于所述读取命令而通过比所述第一读取电压更高的第二读取电压来读出在所述存储器单元中被编程的数据。
8.一种电子系统,包括:
阻变存储装置,其包括具有多个阻变存储器单元的存储器单元阵列和控制器,所述控制器适用于响应于编程命令而将所述存储器单元中的数据编程,并通过第一读取电压来验证所述存储器单元中的所述数据,以及响应于读取命令而通过比所述第一读取电压更高的第二读取电压来读出在所述存储器单元中被编程的数据;以及
存储器控制器,其适用于响应于外部设备的请求而通过产生所述编程命令和所述读取命令来存取所述阻变存储装置。
9.一种阻变存储装置的操作方法,包括以下步骤:
响应于编程命令而将存储器单元阵列的多个阻变存储器单元中的数据编程,并且通过具有第一电平的第一电压来验证所述存储器单元中的数据;以及
响应于读取命令而通过具有比所述第一电平更高的第二电平的第二电压来读出在所述存储器单元中被编程的数据。
10.一种阻变存储装置,包括:
存储器单元阵列,其包括多个阻变存储器单元;
地址译码器,其适用于将地址信号译码,并且选择所述存储器单元阵列中的所述存储器单元,
读取/写入控制电路,其适用于将选中的存储器单元中的数据编程,或从所述选中的存储器单元中读出数据;以及
控制器,其适用于控制所述读取/写入控制电路,以在将所述数据编程时使用第一电压来验证所述选中的存储器单元中的所述数据,并且使用比所述第一电压更高的第二电压来读出所述数据。
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