[发明专利]结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法

权利要求书

1.一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，所述组合物包含：碱性化合物和聚合度为1,000以下的水溶性葡聚糖类化合物，

所述水溶性葡聚糖类化合物是将由碳数为1～3的烷基羧基或其金属盐取代后的葡萄糖进行聚合，所述羧基或其金属盐的总取代度为0.5～1.2。

2.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，所述葡聚糖类化合物是从羧甲基纤维素、羧乙基纤维素、羧丙基纤维素、羧丁基纤维素以及它们的金属盐中选出的至少一种化合物。

3.根据权利要求2所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，所述被取代的纤维素的单元是纤维二糖。

4.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，在总计100重量％的蚀刻液组合物中，包含10^－9～0.5重量％所述葡聚糖类化合物。

5.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，所述碱性化合物是从氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四羟基甲铵以及四羟基乙铵中选出的至少一种化合物。

6.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，所述组合物还包含：由至少具有一个氮原子的碳数为4～10的环状化合物进行取代后的单体聚合而成的高分子。

7.根据权利要求6所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，在所述单体的环结构中，还具有氧原子以及硫原子中的至少一个原子。

8.根据权利要求6所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，所述单体是从N-乙烯吡咯烷酮、N-丙烯酰吗啉、N-乙烯基琥珀酰亚胺、N-丙烯酰氧基琥珀酰亚胺、N-乙烯基己内酰胺、N-乙烯基咔唑以及N-丙烯酰基吡咯烷中选出的至少一种单体。

9.根据权利要求6所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，所述高分子的重均分子量为1,000～1,000,000。

10.根据权利要求6所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，所述高分子的沸点为100℃以上。

11.根据权利要求6所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，所述高分子的汉森溶解度参数为6～15。

12.根据权利要求6所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，在蚀刻液组合物的总重量中，包含10^－12～1重量％的所述高分子。

13.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，所述组合物还包含环状化合物。

14.根据权利要求13所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，所述环状化合物的沸点为100℃以上。

15.根据权利要求13所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其中，所述环状化合物的汉森溶解度参数为6～15。

16.一种结晶性硅晶片的织构蚀刻方法，所述蚀刻方法使用了权利要求1至15中任一项所述的蚀刻液组合物。

17.根据权利要求16所述的蚀刻方法，其中，将所述蚀刻液组合物在50～100℃的温度下进行喷雾30秒～60分钟。

18.根据权利要求16所述的蚀刻方法，其中，在所述蚀刻液组合物中将所述晶片在50～100℃的温度下沉浸30秒～60分钟。