[发明专利]电容器内嵌基板及其制造方法

说明书

对相关申请的交叉引用

这个申请要求2013年12月17日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2013-0157437的利益，其披露内容通过引用的方式整体包含于此。

技术领域

本发明涉及电容器内嵌基板(capacitor embedded substrate，内嵌有电容器的基板)及其制造方法。

背景技术

陶瓷基板可通过LTCC(低温共烧陶瓷)或者HTCC(高温共烧陶瓷)制造。用LTCC，陶瓷粘合剂材料在1000℃或者更低的温度下被烘烤，而用HTCC，陶瓷粘合剂材料在1200℃或者更高的温度下被烘烤。

陶瓷基板可以用作探针卡(所述探针卡被用于半导体晶片的检查)的STF(空间变压器)基板。该检查是针对任何晶片缺陷的检查并且去除晶片的有缺陷的部分。探针卡用作检查设备与处于检查中的晶片之间的接口。

本发明的相关技术在韩国专利公开No.10-2012-0095657(SPACE TRANSFORMER SUBSTRATE FOR PROBE CARD(用于探针卡的空间变压器基板)：2012年8月29日公开)中被披露。

发明内容

本发明提供了一种电容器内嵌基板，其中电容器通过陶瓷层的接收凹槽和聚合物层嵌入。

本发明的一个方面提供了电容器内嵌基板，其包括：陶瓷层，所述陶瓷层中包括第一电路；接收凹槽，形成在陶瓷层的一个表面上；电容器，被插入在接收凹槽中；聚合物层，以使得电容器被嵌入在接收凹槽中的方式层压在陶瓷层上并且所述聚合物层包括与第一电路电连接的第二电路；以及过孔电极，所述过孔电极通过穿透聚合物层而与电容器连接。

电容器内嵌基板可以进一步包括树脂材料，该树脂材料被填充在接收凹槽中以便固定电容器。

树脂材料可覆盖电容器的上表面，并且过孔电极可以穿透该树脂材料。

接收凹槽可形成为使得接收凹槽的深度小于电容器的厚度。

聚合物层可包括多个层，并且过孔电极可垂直于聚合物层穿透所述多个层。

电容器内嵌基板可以进一步包括焊盘电极，该焊盘电极形成在聚合物层的上表面上以便与过孔电极连接。

聚合物层可形成为使得聚合物层的厚度小于陶瓷层的厚度。

接收凹槽可以被设置在陶瓷层的内部上。

聚合物层可包括聚酰亚胺。

本发明的另一个方面提供了制造电容器内嵌基板的方法，该方法包括：在陶瓷层的一个表面上形成接收凹槽，该陶瓷层中包括第一电路；将电容器插入接收凹槽中；将聚合物层层压在陶瓷层上以将电容器嵌入接收凹槽中，该聚合物层包括与第一电路电连接的第二电路；以及通过穿透聚合物层而形成过孔电极，该过孔电极被与电容器电连接。

在将接收凹槽形成在陶瓷层上之前，该方法可进一步包括：通过层压陶瓷板而形成陶瓷层；并且烘烤该陶瓷层。

在将电容器插入接收凹槽之前或者之后，该方法可进一步包括：用树脂材料填充接收凹槽。

在形成接收凹槽的步骤中，接收凹槽可形成为使得接收凹槽的深度大于电容器的厚度，并且在形成过孔电极的步骤中，过孔电极可以穿透覆盖电容器的上表面的树脂材料。

在将聚合物层层压在陶瓷层上的步骤中，聚合物层可形成为使得聚合物层的厚度小于陶瓷层的厚度。

聚合物层可包括多个层，并且在形成过孔电极的步骤中，过孔电极可垂直于聚合物层穿透所述多个层。

过孔电极的形成可包括：以使得电容器的外电极露出的方式在聚合物层中形成过孔；和在过孔中形成导体。

导体的形成可包括：在聚合物层上形成种子层以便覆盖过孔的内部部分；在种子层上形成抗蚀剂；以使得种子层露出的方式在抗蚀剂中形成开口；在开口中形成镀层；以及去除种子层和抗蚀剂。

在形成过孔电极之后，该方法可进一步包括在聚合物层的上表面上形成焊盘电极以便与过孔电极连接。

根据本发明的一些实施例，电容器可容易地嵌入基板中，并且可减小当嵌入的电容器提供电功率时的噪声。

附图说明

图1示出了根据本发明的一个实施例的电容器内嵌基板。

图2和3示出了根据本发明的不同实施例的电容器内嵌基板。

图4是示出了根据本发明的一个实施例的制造电容器内嵌基板的方法的流程图。

图5至15示出了用于根据本发明的一个实施例制造电容器内嵌基板的方法的过程。

具体实施方式