[发明专利]非对称替代金属栅场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种制造非对称场效应晶体管(FET)器件的方法，该方法包括：

形成半导体结构，所述半导体结构具有衬底层、掩埋氧化物(BOX)层、具有源极和漏极区的绝缘体上半导体(SOI)层、所述SOI层上的伪栅以及围绕所述伪栅设置的偏移间隔物；

去除所述伪栅和所述偏移间隔物的至少一部分以暴露所述SOI层的一部分；

在所述SOI层的所述部分以及所述偏移间隔物之上沉积衬里层；

向所述衬里层的第一部分中注入离子；

在所述衬里层的第二部分上沉积氧化物膜；

去除所述衬里层的所述第一部分以在所述氧化物膜与所述偏移间隔物之间形成沟槽；

通过在所述SOI层的被设置在所述沟槽下方的部分中注入掺杂剂，形成延伸的源极区；

去除所述氧化物膜以及所述衬里层的所述第二部分；

在所述延伸的源极区、所述偏移间隔物和所述间隔物层的暴露部分上沉积高k层；

在所述高k层之上沉积金属栅极层；以及

在所述金属栅极层之上形成接触金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，向所述衬里层的第一部分中注入离子包括以一角度向所述衬里层的表面注入离子。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述角度为从所述衬里层的所述表面的法线偏移四十五度。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述伪栅和所述偏移间隔物的所述至少一部分以暴露所述SOI层的所述部分产生凹陷。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述角度基于所述凹陷的相对宽度和深度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过湿法蚀刻进行去除所述衬里层的所述第一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬里层的所述第一部分和所述衬里层的所述第二部分不交叠。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬里层是氮化硅层。

9.一种制造非对称场效应晶体管(FET)器件的方法，该方法包括：

形成具有衬底层、掩埋氧化物(BOX)层、绝缘体上半导体(SOI)层的半导体结构；

在所述SOI层上形成伪栅并且形成围绕所述伪栅设置的偏移间隔物；

在所述SOI层的与所述偏移间隔物相邻的一个或多个暴露部分上生长外延硅区域；

在所述外延硅区域以及所述偏移间隔物上沉积间隔物层；

去除所述间隔物层的被设置在所述外延硅上方的部分；

在所述SOI层中形成源极和漏极区；

在所述外延硅区域、所述间隔物层以及所述偏移间隔物之上沉积氮化物层；

去除所述伪栅、所述氮化物层、所述间隔物层以及所述偏移间隔物的部分以暴露所述伪栅；

去除所述伪栅；

在所述SOI层、所述偏移间隔物、所述间隔物层和所述氮化物层的暴露部分之上沉积衬里层；

向所述衬里层的第一部分中注入离子；

在所述衬里层的未被注入离子的第二部分上沉积氧化物膜；

通过去除所述衬里层的所述第一部分，在所述氧化物膜与所述偏移间隔物之间形成沟槽；

通过在所述SOI层的位于所述沟槽下方的区域中注入掺杂剂，形成延伸的源极区；

去除所述氧化物膜以及所述衬里层的所述第二部分；

在所述延伸的源极区、所述偏移间隔物、所述间隔物层和所述氮化物层的暴露部分上沉积高k层；

在所述高k层之上沉积金属栅极层；以及

在所述金属栅极层之上形成接触金属层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，向所述衬里层的第一部分中注入离子包括以一角度向所述衬里层的表面注入离子。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述角度为从所述衬里层的所述表面的法线偏移四十五度。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，至少去除所述伪栅和所述偏移间隔物的所述部分以暴露所述SOI层的所述部分产生凹陷。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述角度基于所述凹陷的相对宽度和深度。