[发明专利]高脉冲输出电路及应用高脉冲输出电路的设备

说明书

技术领域

本发明涉及脉冲转换技术领域，尤其涉及一种高脉冲输出电路及应用高脉冲输出电路的设备。

背景技术

当前业界电子系统中最常用的芯片就是MCU，MCU作为电子系统的控制枢纽需要很多触发信号作为代码运行的开始。但是外围的触发信号多是由高到低的电平转换，或者由低到高的电平转换，而MCU等处理芯片由于信号复用等原因需要输入短暂的脉冲信号。

由于当前业界的处理高低电平转换的单一性，极大影响了MCU的输入复用性，无法合理利用MCU的中断接口资源。如在电池充电管理中，需要MCU对充电管理过程进行控制，但是由于电池充电管理MCU的触发需要高脉冲信号，当充电管理MCU处于休眠状态时，若直接连接电源，不能满足唤醒高脉冲信号MCU的要求；在温度侦测设备中，需要MCU对温度侦测过程进行控制，但是由于温度侦测管理MCU的触发需要高脉冲信号，当温度侦测管理MCU处于休眠状态中时，开关闭合产生信号为由高到低转换的电平信号，不能满足温度侦测管理MCU的唤醒要求。

因此，需要一种高脉冲输出电路及应用高脉冲输出电路的设备，以避免上述缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高脉冲输出电路及应用高脉冲输出电路的设备，能够将低电平转高电平的阶跃信号处理成高脉冲信号，从而节省MCU资源，提高了MCU的利用效率。

为解决上述问题，本发明提供一种高脉冲输出电路，其特征在于，包括：第一逻辑电路、电容C1、第二逻辑电路，RC延时电路、第三逻辑电路以及反相电路，所述第一逻辑电路的输入端输入电平转换信号，第一逻辑电路的输出端连接第一电源，第一逻辑电路的输出端通过电容C1连接第二逻辑电路的第一输入端，第二逻辑电路的第一输入端及第二输入端连接第二电源，第二逻辑电路的输出端通过延时电路连接第三逻辑电路的输入端，第三逻辑电路的输出端连接第三电源，第三逻辑电路的输出端连接反相电路，反相电路的输出端连接第四电源。

进一步的，所述第一电源通过电阻R1连接第一逻辑电路的输出端，既能够将第一逻辑电路的输出端即电容C1的输入端钳位在高电平，又能够起到限流的作用，防止因电流过高对第一逻辑电路的损害。

进一步的，所述第二电源通过电阻R2连接第二逻辑电路的第一输入端及第二输入端，既能够将第二逻辑电路的第一输入端及第二输入端钳位在高电平，又能够起到限流的作用，防止因电流过高对第二逻辑电路的损害,需要指出的是第二电源在经过电阻R2、第二逻辑电路及电阻R3后，产生的电流应当满足能够使第三逻辑电路导通，才能够才第三逻辑电路的输出端输出脉冲信号。

进一步的，所述第三电源通过电阻R5连接第三逻辑电路的输出端，其具体数值根据输出需要进行调整，既能够将第三逻辑电路和的输出端钳位在高电平，又能够起到限流的作用，防止因电流过高对第三逻辑电路的损害。

进一步的，所述第四电源通过电阻R6连接反相电路的输出端，既能够为反相电路的输出端提供高电，又能够起到限流的作用，防止因电流过高对反相电路造成损害。

进一步的，所述第一电源、第二电源、第三电源及第四电源高于脉冲输出电路的开机电压，即高于电平转换信号输入端的电压。

进一步的，在本发明提供的高脉冲输出电路中，所述第一逻辑电路可以具有N沟道的第一MOS管，其栅极作为输入端连接电平转换信号，源极接地端，漏极作为输出端连接第一电源及电容C1；所述第二逻辑电路采用具有P沟道的第二MOS管，其栅极作为第一输入端连接电容C1及第二电源，漏极作为输出端连接延时电路，源极作为第二输入端连接第二电源；所述第三逻辑电路采用具有N沟道的第三MOS管，其栅极作为输入端，其源极接地端，其漏极作为输出端且连接第三电源。

进一步的，所述具有N沟道的第一MOS管和第三MOS管可以采用NPN三极管代替,其中NPN三极管的基极与N沟道MOS管的栅极连接方式相同，NPN三极管的集电极与N沟道MOS管的漏极连接方式相同，NPN三极管的发射极与N沟道MOS管源极连接方式相同；所述P沟道的第二MOS管可以采用PNP三极管代替，其中PNP三极管的基极与具有P沟道第二MOS管的栅极连接方式相同，PNP三极管的集电极与P沟道的第二MOS管的漏极连接方式相同，PNP三极管的发射极与P沟道的第二MOS管源极连接方式相同，同样能够将输入的由低到高电平转换信号转换成高脉冲输出。