[发明专利]半导体晶圆的分断方法有效
申请号: | 201410342937.7 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN104425234B | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 上村刚博 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 日本大阪府*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体晶圆 刻划线 分断 研削 薄板化 按压 浸透 相反侧 磨石 分断预定线 刻划轮 切割锯 断杆 反转 挠曲 全域 转动 背面 | ||
1.一种半导体晶圆的分断方法,是对于应进行加工的半导体晶圆的一面利用研削磨石进行研削而薄板化并且沿分断预定线进行分断,其特征在于:
借由使沿圆周棱线具有刃前端的刻划轮,沿该半导体晶圆的上面的分断预定线一边进行按压一边转动,而形成由往厚度方向浸透的裂纹构成的刻划线,此时所形成的裂纹深度,成为未浸透利用接下来的研削磨石进行的研削而薄板化的半导体晶圆的厚度全域的深度;
接着,使该半导体晶圆表背面反转,对该刻划线形成面的相反侧的面利用研削磨石进行研削而薄板化半导体晶圆;
接着,从刻划线形成面的相反侧的面沿该刻划线以裂断杆进行按压,借此使该半导体晶圆挠曲而使该裂纹进一步浸透从而分断半导体晶圆。
2.如权利要求1所述的半导体晶圆的分断方法,其特征在于其中,
于该半导体晶圆形成有该刻划线之后,于该刻划线形成面贴附保护片,进行借由该研削磨石的研削。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造