[发明专利]阵列基板及其制造方法在审
申请号: | 201410342978.6 | 申请日: | 2014-07-17 |
公开(公告)号: | CN104064516A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 柴立 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 朱绘;张文娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板的制造方法,包括:
提供一基板,所述基板上具有显示区域;
形成多个像素结构在所述显示区域,至少一个像素结构的制造方法包括:
在所述基板上依次形成图案化第一金属层、栅极绝缘层以及图案化第二金属层,其中,所述图案化第一金属层包括栅线和与所述栅线绝缘设置的浮动金属图案,所述图案化第二金属层包括数据线、源极和漏极,所述数据线经由所述栅极绝缘层与所述浮动金属图案对应设置;
在所述图案化第二金属层上形成图案化保护层,所述图案化保护层上具有露出部分漏极的过孔;
在所述图案化保护层上形成图案化导电层而作为像素电极,所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述浮动金属图案被设置为垂直所述栅线方向且与所述栅线之间存在间隔。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中,所述浮动金属图案为矩形图案时,所述浮动金属图案的宽度小于或等于所述数据线的宽度。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其中,采用钽、钼钽、铬、铝、钛铝钛、铝钼、钼钽和钼钨中的任一种材料制成所述浮动金属图案。
5.一种阵列基板,包括:
基板,所述基板上具有显示区域;
形成在所述显示区域的多个像素结构,至少一个像素结构包括:
图案化第一金属层,所述图案化第一金属层包括栅线和与所述栅线绝缘设置的浮动金属图案;
栅极绝缘层,其设置在所述图案化第一金属层上;
图案化第二金属层,其设置在所述栅极绝缘层上,所述图案化第二金属层包括数据线、源极和漏极,所述数据线经由所述栅极绝缘层与所述浮动金属图案对应设置;
图案化保护层,其设置在所述图案化第二金属层上,且所述图案化保护层上具有露出部分漏极的过孔;
图案化导电层,其设置在所述图案化保护层上,且作为像素电极,所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其中,所述浮动金属图案垂直所述栅线方向且与所述栅线之间存在间隔。
7.根据权利要求5或6所述的阵列基板,其中,所述浮动金属图案为矩形图案时,所述浮动金属图案的宽度小于或等于所述数据线的宽度。
8.根据权利要求5所述的阵列基板,其中,所述浮动金属图案采用钽、钼钽、铬、铝、钛铝钛、铝钼、钼钽和钼钨中的任一种材料制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410342978.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造