[发明专利]一种利用倍增染色体的配子杂交育种法培育三倍体霍山石斛的方法

权利要求书

1.一种利用倍增染色体的配子杂交育种法培育三倍体霍山石斛的方法，其特征在于包括以下步骤： 

(1)优选出抗逆性好、生长快、茎秆粗、茎高长、分蘖多、纤维含量低、药效成分含量高的不同产地的霍山石斛品种作为三倍体培育源植株亲本；

(2)在上述亲本的花蕾形成并未开放时，用化学诱导剂诱导其花蕾，使花器官染色体增倍，使之产生含两组染色体的雌雄配子；

(3)在开花时将诱导后花蕾与正常的花蕾授粉杂交，植株结实后得到杂交种子；

(4)将杂交种子无菌播种培养成幼苗，检测出三倍体植株；

(5)将三倍体植株进行无性繁殖获得大量三倍体幼苗。

2.根据权利要求1所述的利用倍增染色体的配子杂交育种法培育三倍体霍山石斛的方法，其特征在于：步骤(1)中所述霍山石斛为分布在大别山山系的不同产地具有优良性状的品种，其中高纬度、高海拔地区的品种具有抗逆性强、药效成分含量高的特点，低纬度、低海拔地区的品种具有生长速度快、茎高长、分蘖多、纤维含量低的特点。

3.根据权利要求l所述的利用倍增染色体的配子杂交育种法培育三倍体霍山石斛的方法，其特征在于：步骤(2)中所述化学诱导剂优选秋水仙素，其质量浓度为1.2-1.5%，诱导的方法为：原始亲本的花蕾未开放时，用三层脱脂棉纱布将整个花蕾包裹，每天秋水仙素溶液浸透脱脂棉纱布，保持湿润，连续2-3天，去掉包裹脱脂棉纱布。

4.根据权利要求l所述的利用倍增染色体的配子杂交育种法培育三倍体霍山石斛的方法，其特征在于：步骤(3)中所述杂交的方法为：选择经秋水仙素诱导后开花的花朵与未经诱导的花朵，按常规方法，可互为父本和母本进行授粉。

5.根据权利要求l所述的利用倍增染色体的配子杂交育种法培育三倍体霍山石斛的方法，其特征在于：步骤(4)中所述培养为固体培养基培养，适合兰科植物的培养基均可，优选MS培养基；所述培养为温度在25-18 ℃的昼夜温差范围内，光照时间10-12 h，光照强度2000-3000 lux，色温在4500-5500 k。

6.根据权利要求l所述的利用倍增染色体的配子杂交育种法培育三倍体霍山石斛的方法，其特征在于：步骤(4)中所述检测染色体倍数为常规染色镜检办法检测，选取染色体数目2n=3x=57的幼苗，是培育成功的三倍体。

7.权利要求1-6中任何一项所述培育方法得到的三倍体霍山石斛。