[发明专利]异质接面双极性电晶体有效

专利信息
申请号: 201410344152.3 申请日: 2014-07-18
公开(公告)号: CN105261639B 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 邱瑞斌;蔡绪孝;许龙豪;林正国 申请(专利权)人: 稳懋半导体股份有限公司
主分类号: H01L29/737 分类号: H01L29/737;H01L29/417
代理公司: 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 代理人: 喻慧玲
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 异质接面双 极性 电晶体
【说明书】:

发明异质接面双极性电晶体,其包括:一长条形基极平台、一长条形基极电极、两个长条形射极、一个长条形集极以及两个长条形集极电极,其中前述之长条形基极电极系沿前述之基极平台之长轴设置于前述之基极平台之上,且前述之基极电极之中央处或邻近中央处设有一基极导孔;前述之两个长条形射极系分别位于前述基极平台上、前述基极电极之两侧,且前述之射极区中的每一个其上方设有一长条形射极电极;前述之集极系位于前述基极平台之下;而前述之两个长条形集极电极系分别位于前述集极之上、前述基极平台相对之两侧。

技术领域

本发明涉及一种异质接面双极性电晶体,尤指一种具有较高的射极对基极面积比,以提高电晶体功率增益的异质接面双极性电晶体。

背景技术

近年来,随着行动装置产业的蓬勃发展,对高功率、高功率增益、高功率增益效率的需求日益增加。由于化合物半导体异质接面双极性电晶体积体电路具有高功率、高功率增益、高线性度等优点,常被应用于制作行动装置中的功率放大器等元件,因此,若能改进化合物半导体异质接面双极性电晶体布局,将能有效提升功率增益及功率增益效率,提高产品竞争力。

发明内容

本发明提供一种异质接面双极性电晶体,其通过提高射极对基极面积比,从而有效缩小集极电容,达到提高输出功率增益的目的。

本发明提供一种异质接面双极性电晶体,包括:一个长条形基极平台;一个长条形基极电极,沿该基极平台的长轴设置于该基极平台之上,且该基极电极的中央处或邻近中央处设有一个基极导孔;两个长条形射极,分别位于该基极平台上、该基极电极的两侧,且该射极区中的每一个其上方设有一个长条形射极电极;一个长条形集极,位于该基极平台之下;以及两个长条形集极电极,分别位于该集极之上、该基极平台相对的两侧。

优选地,该基极电极沿该基极平台的长轴,设置于该基极平台上、该基极平台的短轴中央处或邻近中央处。

优选地,该长条形基极平台的长宽比范围为1.2:1至15:1。

优选地,该基极平台、该射极电极及该集极电极皆为长方形。

优选地,该基极平台、该射极以及该集极为弯折的长条形,该弯折处位于长条形的中央处或邻近中央处。

优选地,该基极平台、该射极以及该集极为弯折的长条形,该弯折处位于长条形的中央处或邻近中央处,且弯折的角度为90°。

本发明提供还一种异质接面双极性电晶体,包括:一个长条形基极平台;一个工字形射极,位于该基极平台上,工字形射极包括两个平行条以及连接该两个平行条的一横条,其于工字形射极的横条的两侧、该工字形射极的该两个平行条之间分别设有凹陷部,且该工字形射极上设有一个工字形射极电极;两个基极电极,分别设于该基极平台上、该工字形射极两侧的凹陷部内,且每一个基极电极,于其邻近基极平台中央处的一端设有一个基极导孔;一个长条形集极,位于该基极平台之下;以及两个长条形集极电极,分别位于该集极之上、该基极平台相对的两侧。

优选地,该工字形射极的凹陷部设于该基极平台的短轴中央处或邻近中央处。

优选地,该长条形基极平台的长宽比范围为1.2:1至15:1。

优选地,该基极平台及该集极电极皆为长方形。

与现有技术相比,本发明具有以下突出的实质性特点和显著的进步性:

1.具有较高的射极对基极面积比(EA/BA),有效提高了异质接面双极性电晶体的功率增益;

2.具有较小的集极电阻,有效提高了异质接面双极性电晶体的功率增益效率;

3.具有较佳的射极电流分布,有效增进异质接面双极性电晶体的高功率运作能力。

附图说明

图1为本发明异质接面双极性电晶体实施例1的俯视示意图;

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