[发明专利]一种纳米晶量子点薄膜、使用该薄膜改性的晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米晶量子点薄膜，其特征在于：该薄膜包括纳米晶量子点分散层，所述纳米晶量子点分散层包含CdS纳米晶量子点。

2.根据权利要求1所述的纳米晶量子点薄膜，其特征在于：所述纳米晶量子点分散层中，CdS纳米晶量子点的质量百分含量为1％～15％。

3.根据权利要求1所述的纳米晶量子点薄膜，其特征在于：所述CdS纳米晶量子点为纯CdS纳米晶，或以CdS纳米晶为核心的核壳结构纳米晶。

4.根据权利要求1所述的纳米晶量子点薄膜，其特征在于：所述纳米晶量子点薄膜的厚度为1～200μm。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的纳米晶量子点薄膜，其特征在于：所述纳米晶量子点薄膜还包括基质高分子层，所述基质高分子层主要由基质高分子组成。

6.根据权利要求5的纳米晶量子点薄膜，其特征在于：所述基质高分子为聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇或聚乙二醇。

7.根据权利要求5或6所述的纳米晶量子点薄膜，其特征在于：所述基质高分子层的厚度为0.5～50μm。

8.一种使用如权利要求1所述的纳米晶量子点薄膜改性的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述晶体硅太阳能电池的工作面覆有所述的纳米晶量子点薄膜。

9.根据权利要求8所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述纳米晶量子点薄膜的尺寸小于晶体硅太阳能电池的工作面的尺寸。

10.一种如权利要求8所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括下列步骤：

a)配制基质高分子饱和水溶液，备用；取分散有CdS纳米晶量子点和基质高分子的水基分散体系为纳米晶量子点分散液，备用；

b)在晶体硅太阳能电池的工作面涂覆基质高分子饱和水溶液，干燥形成基质高分子层；

c)在基质高分子层表面涂覆纳米晶量子点分散液，干燥形成纳米晶量子点分散层，即得纳米晶量子点薄膜改性的晶体硅太阳能电池。