[发明专利]数模混合电路

权利要求书

1.一种数模混合电路，其特征在于，包括集成在PCB上的电源电路部分、模拟电路部分和数字电路部分，三个部分分割在独立的区域且三个部分的地线和电源线在靠近电源电路部分的地方连接；该数字电路和该模拟电路的中低频部分相靠近，该数字电路和该模拟电路的高频部分相远离，其中高频部分的信号线靠近连接器；该数字电路和该模拟电路物理隔离，且该模拟电路地和该数字电路地分割在不同区域的地层。

2.如权利要求1所述的数模混合电路，其特征在于，该模拟电路地与该数字电路地之间用沟壕分开，并用连接线将该模拟电路地与该数字电路地桥接。

3.如权利要求1所述的数模混合电路，其特征在于，该电源电路包括基准源，该基准源包括电源切换模块、带隙基准源及低压差线性稳压源，电源切换模块一输入端接入外部电源，输出端接带隙基准源输入端，带隙基准源输出端接低压差线性稳压源输入端，低压差线性稳压源输出端反馈接入电源切换模块另一输入端；带隙基准源和低压差线性稳压源可分别向电源切换模块提供使能信号，用以电源切换模块在逻辑判断后切换供电模式，给带隙基准源提供外部电源电压或低压差线性稳压源电压。

4.如权利要求3所述的数模混合电路，其特征在于，电源切换模块包括逻辑判断级电路和开关级电路；逻辑判断级电路分别接入带隙基准源输出使能信号和低压差线性稳压源输出使能信号，根据相应逻辑输出电源转换开关信号；开关级电路根据电源转换开关信号相应导通或截止，用以选择性地接入外部电源或低压差线性稳压源。

5.如权利要求3所述的数模混合电路，其特征在于，该带隙基准源具有带隙基准源单元、带隙基准源的启动单元和带隙基准源的放大单元，带隙基准源的启动单元可以使带隙基准源单元的自启动，带隙基准源的放大单元可使带隙基准源单元的两个输入节点电平保持相等。

6.如权利要求5所述的数模混合电路，其特征在于，带隙基准源的启动单元包括由PMOS管MSA、PMOS管MSB、PMOS管MSC构成的开启电路；PMOS管MSA的源极接电源，PMOS管MSA的漏极接NMOS管MSC的漏极和NMOS管MSB的栅极，MOS管MSA的栅极、NMOS管MSC的源极和NMOS管MSB的源极接地，NMOS管MSB的漏极、NMOS管MSC的栅极分别接至带隙基准源的放大单元。

7.如权利要求5所述的数模混合电路，其特征在于，带隙基准源的放大单元包括PMOS管MA1、PMOS管MA2、PMOS管MA5、PMOS管MA7和NMOS管MA3、NMOS管MA4、NMOS管MA6；PMOS管MA1的栅极和PMOS管MA2的栅极分别接带隙基准源模块的对应输入端，PMOS管MA1的源极和PMOS管MA2的源极共同接PMOS管MA5的漏极，PMOS管MA5的源极接电源，PMOS管MA5的栅极接至带隙基准源的自启动模块，PMOS管MA1的漏极与NMOS管MA3的漏极、NMOS管MA3的栅极和NMOS管MA4的栅极连接，NMOS管MA3的源极和NMOS管MA4的源极接地，构成第一级放大电路；NMOS管MA6的栅极接NMOS管MA4的漏极，NMOS管MA6的栅极与MOS管MA6的漏极之间接电容Cc,PMOS管MA7的漏极连接NMOS管MA6的漏极，PMOS管MA7源极接电源，PMOS管MA7的栅极接PMOS管MA5的衬底，构成第二级放大电路。

8.如权利要求3所述的数模混合电路，其特征在于，低压差线性稳压源包括误差放大电路、功率级输出电路及拓增带宽电路，功率级输出电路的输出端负反馈接至误差放大电路的正相输入端，误差放大电路的负相输入端接入基准电压；拓增带宽电路的输出端连接功率级输出电路的输入端，用以作为第二级非反相放大器而增加整个负反馈环路的带宽。

9.如权利要求8所述的数模混合电路，其特征在于，拓增带宽电路包括恒流源IB_1、恒流源IB_2、MOS管M27、MOS管M28及电阻R11，其中：恒流源IB_1的一端接外部电源正端，另一端接MOS管M28的漏极，且MOS管M28的漏极与MOS管M27的栅极连接；恒流源IB_2的一端接地，另一端接MOS管M27的漏极，且MOS管M27的漏极与功率级输出电路的输入端连接；MOS管M27的栅极通过电阻R11与MOS管M27的漏极连接，MOS管M27的源极接电源正端；MOS管M28的栅极连接误差放大电路的输出端，MOS管M28的源极接地。

10.如权利要求8所述的数模混合电路，其特征在于，功率级输出电路包括P型功率MOS管MP、分压网络及外部补偿用的电容Cout，其中：P型功率MOS管MP的栅极接拓增带宽电路的输出端，源极接外部电源正端，漏极接至稳压输出端并通过分压网络接地；电容Cout接于P型功率MOS管MP的漏极和地之间，用以对输出电压稳压滤波。