[发明专利]半导体器件及其操作方法

说明书

一种半导体器件的操作方法包括重复擦除循环和重复编程循环的步骤，所述擦除循环可以通过将擦除电压施加至选中的存储块以及执行擦除验证以判断选中的存储块中的存储器单元的阈值电压是否小于或等于目标电平来降低选中的存储块中的存储器单元的阈值电压，其中擦除电压被增加了电压差，其中电压差在连续应用的两个或更多个擦除循环之间增加。所述编程循环包括将编程电压施加至选中的字线以增加与选中的字线电耦接的存储器单元的阈值电压以及执行编程验证以判断阈值电压是否大于或等于目标电平，其中编程电压被增加了电压差，其中电压差在连续施加的两个或更多个编程电压之间增加。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年2月10日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0015026的韩国专利申请的优先权，其全部公开通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例涉及一种半导体器件及其操作方法，并且更具体地涉及一种半导体器件的擦除操作。

背景技术

半导体器件通常包括存储器单元阵列、电路组和控制电路。存储器单元阵列包括多个存储块，且被配置成储存数据。电路组典型地被配置成执行与在存储器单元阵列中选中的存储块相关的编程操作、读取操作和擦除操作中的一个或更多个。控制电路典型地被配置成控制电路组的操作。

在许多情况下，控制电路被配置成向电路组发出命令以基于与每个操作相关的一个或更多个设定值来执行各种操作。

例如，当对选自多个存储块的选中的存储块执行擦除操作时，擦除电压Vera被施加至选中的存储块中的阱。存储器单元的阈值电压被降低选中的存储块中的存储器单元和沟道之间的电压差，且执行擦除操作。

在许多情况下，使用利用逐渐增加擦除电压Vera的增量式步进脉冲擦除(ISPE)方法的擦除操作。在ISPE方法的实施期间，重复地执行多个擦除循环。擦除循环中的每个包括将擦除电压Vera施加至选中的存储块中的阱，以及判断选中的存储块中的存储器单元的阈值电压是否被降低至目标电平。基于判断，如果重复擦除循环，则可以将擦除电压Vera增加恒定步进电压Vstep。如在表1中所示，步进电压Vstep典型地保持在恒定电压，而擦除电压随着每次重复擦除循环而逐步地增加恒定的步进电压Vstep。

表1

擦除循环计数	擦除电压	电压差
1	Vera
2	Vera+Vstep	Vstep