[发明专利]一种基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法有效

专利信息
申请号: 201410344916.9 申请日: 2014-07-21
公开(公告)号: CN104157744B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 吴立枢;赵岩;刘昊;石归雄;程伟 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 外延 转移 实现 金刚石 gan 方法
【权利要求书】:

1.基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法,其特征是该方法包括以下步骤:

1)用稀释的盐酸清洗Si基GaN圆片和临时载片表面60秒钟,再用去离子水进行冲洗,然后放入甩干机进行甩干;

2)在临时载片的正面旋涂粘附剂作为键合材料,转速1000rpm-5000rpm,时间为30-60秒;

3)将临时载片正面朝上放在热板上烘烤2-5分钟,热板温度100-110摄氏度;

4)待临时载片在室温下自然冷却后,将Si基GaN圆片和临时载片正面相对在温度为180-250摄氏度的条件下键合;

5)将Si基GaN圆片的Si衬底刻蚀去除,得到了以临时载片为支撑的GaN圆片;

6)用稀释的盐酸清洗金刚石和以临时载片为支撑的GaN圆片表面60秒钟,再用去离子水进行冲洗,然后放入甩干机进行甩干;

7)在金刚石正面化学气相沉积生长一层介质,生长厚度20-200纳米;

8)将金刚石放入反应离子刻蚀机中用氧气等离子体激活,腔体气压为100-200 mTor,功率为100-300 W,氧气流量为20-60 sccm;

9)将以临时载片为支撑的GaN圆片和金刚石正面相对在室温条件下键合,在120-300摄氏度的条件下退火10-100小时;

10)将键合完的圆片浸泡在粘附剂去除液中,待粘附剂被去除液全部溶解后金刚石将与临时载片自动分离。

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