[发明专利]一种掩模板

说明书

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种掩模板。

背景技术

图1所示为现有大面积半透过掩模板曝光过程示意图，如图1所示，由于金属线2的存在使得基板1朝向掩模板4的表面产生高度差，光刻胶3涂覆后的表面为一个平面，且光刻胶3涂覆后的表面与掩模板4的衬底基板5之间的距离相同；由于基板1朝向掩模板4的表面存在高度差，因此，基板1朝向掩模板4的表面上各区域涂覆的光刻胶3的厚度存在厚度差；如图1中所示，H₁为半曝光区域的光刻胶3的厚度，H₂为半曝光区域的光刻胶3的厚度，H₃为不曝光区域的光刻胶3的厚度，其中H₂小于H₁。

图2所示为图1中所示的基板1显影后的光刻胶分布示意图，如图2所示，现有技术中的掩模板4中，与基板1上需要半曝光区域相对的部分透光率相同，导致基板1涂覆的光刻胶3在曝光显影之后，与H₁对应部位剩余的光刻胶3的厚度为H₁₁，与H₂对应部位剩余的光刻胶3的厚度为H₂₁，H₃₁为不曝光区域的光刻胶3的厚度，H₂₁依然小于H₁₁。

后续工艺中需要采用灰化工艺将H₁₁区域以及H₂₁区域的光刻胶3灰化，以对这两个区域进行刻蚀等工艺。

在基板1的加工过程中，在对基板1上涂覆的光刻胶3进行曝光显影后，必须保证H₁区域剩余的光刻胶3的厚度H₁₁不为零，同时保证H₂区域剩余的光刻胶3的厚度H₂₁不为零；但是，在对基板1上涂覆的光刻胶3进行曝光显影的工艺后，H₁区域剩余的光刻胶3的厚度H₁₁较难控制，导致：

当H₁区域剩余的光刻胶3的厚度H₁₁偏薄时，H₂区域剩余的光刻胶3的厚度H₂₁可能为零，进而导致此区域基板1的上表面失去光刻胶3的保护，在后续的刻蚀过程可能产生过刻导致不良。

当H₁区域剩余的光刻胶3的厚度H₁₁偏厚时，在后续过程中需要将H₁区域剩余的光刻胶3的厚度H₁₁全部灰化掉时，可能将H₃区域的光刻胶3全部灰化，导致基板1上与H₃的区域对应的上表面失去光刻胶3的保护，在后续的刻蚀过程导致此区域产生过刻不良。

发明内容

本发明提供了一种掩模板，该掩模板可以解决因为光刻胶厚度差异导致的过刻不良的工艺问题。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种掩模板，包括不透光区域，还包括：

第一半透光区域；

第二半透光区域；

所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率。

基板在未涂覆光刻胶之前，其设有金属线的区域的表面要高出没有设置金属线的区域的表面，因此在基板上涂覆光刻胶之后，基板设有金属线的区域中光刻胶的厚度要小于没有金属线区域中光刻胶的厚度；上述掩模板与基板正对时，第一半透光区域用于覆盖基板中不存在金属线、且需要进行半曝光的区域，第二半透光区域用于覆盖基板中存在金属线、且需要进行半曝光的区域；因此，在曝光过程中，紫外线透过第一半透光区域对基板中不存在金属线、且需要进行半曝光的区域内的光刻胶进行半曝光，紫外线透过第二半透光区域对基板中存在金属线、且需要进行半曝光的区域的光刻胶进行半曝光；由于掩模板中第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率，曝光后，第二半透光区域对应的区域中的光刻胶的曝光量小于第一半透光区域对应的区域中光刻胶的曝光量，因此，在对曝光后的光刻胶进行显影工艺后，第二半透光区域对应去除的光刻胶的厚度比第一半透光区域对应去除的光刻胶的厚度小，进而减小第二半透光区域对应剩余的光刻胶的厚度和第一半透光区域对应剩余的光刻胶的厚度之间的差异。此时，即使第一半透光区域覆盖的区域内的光刻胶显影后剩余的厚度很薄，第二半透光区域覆盖的基板区域显影后也会有光刻胶的保护，因此可以减少在后续的刻蚀过程中第二半透光区域覆盖的基板区域过刻不良现象的发生。

因此，上述掩模板可以解决因为光刻胶厚度差异导致的过刻不良的工艺问题。