[发明专利]台阶宽度小于2.5mm之垂直配向型LCD液晶显示器有效
申请号: | 201410345179.4 | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN104199221A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 肖立高;颜强;梁有忠 | 申请(专利权)人: | 广西钦州天山微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/139 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人: | 廖世传 |
地址: | 535413 广西壮族自治*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 台阶 宽度 小于 2.5 mm 垂直 lcd 液晶显示器 | ||
(一)技术领域:
本发明涉及显示设备,具体为一种台阶宽度小于2.5(mm)之垂直配向型LCD液晶显示器。
(二)背景技术:
垂直配向型(VA)液晶显示器在近些年的LCD显示器中应用越来越广泛。
由于在其工作时液晶分子近似于垂直取向,要求摩擦方向与正视角方向平行,由此对于那些台阶位于正视方向的上或下台阶或上下台阶的显示器,由于常规台阶上的ITO层具有较规律性的间隔镂空,出现凹凸不平面的情况,经摩擦定向后,容易造成盒体内定向记忆性条纹。
如何从结构设计或工艺方面避免产生摩擦条纹就成为VA产品设计开发人员待以解决的课题。
(三)发明内容:
针对现有技术的不足,本发明提供了一种台阶宽度小于2.5(mm)之垂直配向型LCD液晶显示器,主要解决由于摩擦定向而造成的盒体内定向记忆性条纹问题。
能够解决上述问题的台阶宽度小于2.5mm之垂直配向型LCD液晶显示器,其技术方案包括盒体内的上玻璃、下玻璃上布满的ITO层,盒体外上台阶或下台阶或上下台阶上布满的ITO层,经曝光和酸刻后,所述台阶上的ITO层呈较规律性的间隔镂空,所不同的是所述镂空处的台阶上设有ITO填充块,所述ITO填充块由台阶宽度方向的间隙分割成两部份。
一种情况下,所述间隙设为直线形,间隙宽度选择在0.075mm~0.10mm之间。
另一种情况下,所述间隙设为折状形(俗称Z字形或菜刀形),间隙宽度同样选择在0.075mm~0.10mm之间。
为避免相邻两ITO层(电极)短路,所述ITO填充块与相邻ITO层保持间距,所述间距的最小值为0.05mm。
最外端ITO填充块的长度≤5.0mm时,由于静电量不大,ITO填充块可不用间隙分割。
上述技术方案适用于台阶宽度小于2.5mm的液晶显示器。
本发明的有益效果:
本发明台阶宽度小于2.5(mm)之垂直配向型LCD液晶显示器可沿用现有的LCD生产工艺,制作方便,易于实现,生产成本低,能避免定向记忆性 条纹产生的问题,是一种能满足用户需求的优质VA液晶显示屏产品。
(四)附图说明:
图1为本发明一种实施方式的结构示意图。
图2为图1实施方式中台阶部分的局部放大图,显示ITO填充块的一种结构形式。
图3为图1实施方式中台阶部分的局部放大图,显示ITO填充块的另一种结构形式。
图号标识:1、台阶;2、ITO层;3、ITO填充块;4、间隙;5、间距。
(五)具体实施方式:
下面结合附图所示实施方式对本发明的技术方案作进一步说明。
本发明台阶宽度小于2.5(mm)之垂直配向型LCD液晶显示器的盒体内,上玻璃和下玻璃上尽量布满ITO层,盒体外上台阶1或下台阶1或上下台阶1上同样尽可能布满ITO层2,经曝光和酸刻后,所述台阶1上的ITO层2呈较规律性的间隔镂空,将没有ITO层的台阶1镂空处填充ITO填充块3,沿台阶1长度方向,所述ITO填充块3间隔分布,最外端的ITO填充块3处于台阶1的两端位置上,各ITO填充块3与相邻ITO层2的间距5的最小值为0.05mm,如图1所示。
所述ITO填充块3被沿台阶1宽度方向的间隙4分割成两等份,所述间隙4的取值范围在0.075mm~0.10mm之间,如图2、图3所示。
一种情况下,所述间隙4采用直线形,如图2所示。
另一种情况下,所述间隙4采用折状形(也称Z字形或菜刀形),如图3所示。
对于最外端的ITO填充块3,其长度(沿台阶1长度方向)≤5.0mm时可以整块保留而不用间隙4分割,该ITO填充块3与内侧ITO层2的间距5最小值为0.05mm;如最外端ITO填充块3长度>5.0mm,为避免单块填充的静电量过大,应采用直线形间隙4或折状形间隙4平分为两等份,该ITO填充块3与内侧ITO层2的间距5最小值为0.05mm,如图2、图3所示。
上述技术方案适用于台阶宽度<2.5mm的液晶显示器,在连接方式为斑马条时,所述ITO填充块3只能采用直线形间隙4分隔。
所述实施方式为说明本发明技术方案的最佳实施例,并非具体限定,在不脱离本发明技术方案原理的前提下,本发明还会有各种变化和改进,所述变化和改进都将落入本发明权利要求所要保护的范围。
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