[发明专利]一种晶圆局部清洁装置及方法

权利要求书

1.一种晶圆局部清洁装置，用于对晶圆刻号区域进行清洁，该装置包括晶圆对准装置、晶圆卡盘、晶圆升降控制装置、位于卡盘上方向下的高纯气体高压冲吹管路、以及与冲吹位置相对水平放置的负压抽吸管路。

2.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述晶圆卡盘通过一定数量的可收缩机械销夹持固定。

3.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述晶圆升降控制装置包括位于卡盘下方的支架结构，可将卡盘一侧升起或下降使其倾斜一定的角度。

4.根据权利要求3所述的清洁装置，其中所述晶圆升降控制装置，其特征在于，所述卡盘倾斜角度的范围为30°～80°。

5.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述高纯气体高压冲吹管路所采用的高纯气体包括高纯氮气或高纯压缩空气。

6.根据权利要求5所述的清洁装置，其特征在于，所述高纯气体压力范围为80-150psi。

7.根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述负压抽吸管路为喇叭口状。

8.一种晶圆局部清洁方法，用于对晶圆刻号区域进行清洁，该方法包括以下步骤：

a.提供待清洁晶圆，通过晶圆对准装置进行对准，确认晶圆刻号的位置；

b.将晶圆放置在晶圆卡盘上，并使其刻号的位置位于高纯冲吹气体管路喷嘴下方；

c.通过晶圆升降控制装置将卡盘一侧升起或下降使其倾斜一定的角度；

d.通过高纯气体高压冲吹管路的喷嘴对激光刻号后的区域进行高压喷吹；

e.在步骤d的同时或之前，开启负压抽风管路，将高压冲吹的残渣及时吸走。

9.根据权利要求8所述的晶圆局部清洁方法，其特征在于，在步骤c中，所述卡盘倾斜角度的范围为30°～80°。

10.根据权利要求8所述的晶圆局部清洁方法，其特征在于，在步骤d中，所述高纯气体包括高纯氮气或高纯压缩空气。

11.根据权利要求10所述的晶圆局部清洁方法，其特征在于，在步骤d中，适用的气体压力范围为80-150psi。