[发明专利]一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法

权利要求书

1.一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法，包括以下步骤：

a.提供具有预定形状和尺寸的测试结构；

b.测量所述测试结构的质量，得到容差范围；

c.测量待监控晶圆的质量，并与所述容差范围进行比较，若待监控晶圆的质量值在容差范围内，则认为深孔的刻蚀深度已经达到要求；若不在容差范围内，则深孔的刻蚀深度没有达到工艺要求，需要对刻蚀工艺条件进行调整。

2.根据权利要求1所述的工艺监控方法，其中在步骤b前包括步骤b1：对于给定型号的晶圆，通过扫描电子显微镜进行分析，确定晶圆硅深孔刻蚀后深度范围是否达到工艺要求，若达到工艺要求，则进行步骤b。

3.根据权利要求1所述的工艺监控方法，所述步骤b的具体方法为:对于给定型号的晶圆，测量多批次该晶圆深孔刻蚀完成后的质量，得到深孔刻蚀完成后的质量的变化范围，并根据测量结果定义晶圆在深孔刻蚀后质量的量测目标及容差范围。

4.一种半导体深孔刻蚀后的工艺监控方法，包括以下步骤：

a.提供具有预定形状和尺寸的测试结构；

b.测量所述测试结构在深孔刻蚀完成前后的质量差，得到容差范围；

c.测量待监控晶圆刻蚀前后的质量差与所述容差范围进行比较，若待监控晶圆刻蚀前后的质量差在容差范围内，则认为深孔的刻蚀深度已经达到要求；若不在容差范围内，则深孔的刻蚀深度没有达到工艺要求，需要对刻蚀工艺条件进行调整。

5.根据权利要求4所述的工艺监控方法，其中，其中在步骤b前包括步骤b1：对于给定型号的晶圆，通过扫描电子显微镜进行分析，确定晶圆硅深孔刻蚀后深度范围是否达到工艺要求，若达到工艺要求，则进行步骤b。

6.根据权利要求4所述的工艺监控方法，其中，对于给定的晶圆，所述测试结构在深孔刻蚀完成前后的质量差的测量方法为：

d1.在深孔刻蚀前，测量晶圆质量，得到晶圆质量前值；

d2.在深孔刻蚀后，测量晶圆质量，得到晶圆质量后值；

d3.通过质量量测设备自动计算出质量差值。

7.根据权利要求4所述的工艺监控方法，在所述步骤b中，对于给定型号的晶圆，测量多批次该晶圆深孔刻蚀完成后的质量差，得到深孔刻蚀完成后的质量差的变化范围，并根据测量结果定义晶圆在深孔刻蚀后质量的量测目标及容差范围。