[发明专利]存储器装置及其编程方法

权利要求书

1.一种存储器装置的编程方法，其中该存储器装置包括相互串接的一第一晶体管、一存储单元串与一第二晶体管，该存储单元串包括一目标存储单元、与该目标存储单元相邻的一第一与一第二周边存储单元以及与该目标存储单元不相邻的多个非目标存储单元，且该存储器装置的编程方法包括：

导通该第一晶体管并关闭该第二晶体管；

利用一传递电压开启这些非目标存储单元，并利用一辅助电压开启该第一周边存储单元与该第二周边存储单元；以及

利用一编程电压对该目标存储单元进行编程，其中该辅助电压大于该传递电压，且该辅助电压小于该编程电压。

2.根据权利要求1所述的存储器装置的编程方法，其中利用该传递电压开启这些非目标存储单元，并利用该辅助电压开启该第一与该第二周边存储单元的步骤包括：

提供该传递电压至电性连接这些非目标存储单元的多个第一字线，并提供该辅助电压至电性连接该第一周边存储单元的一第二字线与电性连接该第二周边存储单元的一第三字线；

将该传递电压维持在一第一电平；以及

将该辅助电压维持在一第二电平，且该第二电平大于该第一电平。

3.根据权利要求2所述的存储器装置的编程方法，其中利用该编程电压对该目标存储单元进行编程的步骤包括：

提供该编程电压至电性连接该目标存储单元的一第四字线；以及

将该编程电压维持在一第三电平，其中该第二电平小于该第三电平。

4.根据权利要求2所述的存储器装置的编程方法，其中利用该编程电压对该目标存储单元进行编程的步骤包括：

提供该编程电压至电性连接该目标存储单元的一第四字线；以及

调整该编程电压，以致使该编程电压以一步阶方式从一第三电平逐渐上升，且该第二电平小于该第三电平。

5.根据权利要求1所述的存储器装置的编程方法，其中利用该传递电压开启这些非目标存储单元，并利用该辅助电压开启该第一与该第二周边存储单元的步骤包括：

提供该传递电压至电性连接这些非目标存储单元的多个第一字线，并提供该辅助电压至电性连接该第一周边存储单元的一第二字线与电性连接该第二周边存储单元的一第三字线；

将该传递电压维持在一第一电平；以及

调整该辅助电压，以致使该辅助电压以一步阶方式从该第一电平上升至一第二电平。

6.根据权利要求5所述的存储器装置的编程方法，其中利用该编程电压对该目标存储单元进行编程的步骤包括：

提供该编程电压至电性连接该目标存储单元的一第四字线；以及

将该编程电压维持在一第三电平，其中该第二电平小于该第三电平。

7.根据权利要求5所述的存储器装置的编程方法，其中利用该编程电压对该目标存储单元进行编程的步骤包括：

提供该编程电压至电性连接该目标存储单元的一第四字线；以及

调整该编程电压，以致使该编程电压以该步阶方式从一第三电平逐渐上升，且该第二电平小于该第三电平。

8.一种存储器装置，包括：

一存储器阵列，包括相互串接的一第一晶体管、一存储单元串与一第二晶体管，且该存储单元串包括一目标存储单元、与该目标存储单元相邻的一第一与一第二周边存储单元、以及与该目标存储单元不相邻的多个非目标存储单元；以及

一电路，电性连接该存储器阵列，其中在一编程期间，该电路：

导通该第一晶体管并关闭该第二晶体管；

利用一传递电压开启这些非目标存储单元，并利用一辅助电压开启该第一周边存储单元与该第二周边存储单元；以及

利用一编程电压对该目标存储单元进行编程，其中该辅助电压大于该传递电压，且该辅助电压小于该编程电压。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中在编程期间，该电路更：

将该传递电压维持在一第一电平；

将该辅助电压维持在一第二电平；以及

调整该编程电压，以致使该编程电压以一步阶方式从一第三电平逐渐上升，其中该第二电平大于该第一电平，且该第二电平小于该第三电平。

10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中在编程期间，该电路更：

将该传递电压维持在一第一电平；

调整该辅助电压，以致使该辅助电压以一步阶方式从该第一电平上升至一第二电平；以及

调整该编程电压，以致使该编程电压以该步阶方式从一第三电平逐渐上升，且该第二电平小于该第三电平。