[发明专利]一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构

权利要求书

1.一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构，包括GaSb衬底(1)、缓冲层(2)、n型限制层(3)、下波导层(4)、有源区(5)、上波导层(6)、电子阻挡层(7)和p型限制层(8)，其特征在于所述p型波导层和p型限制层之间存在电子阻挡层。

2.一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构，包括GaSb衬底(1)、缓冲层(2)、n型限制层(3)、下波导层(4)、有源区(5)、上波导层(6)、电子阻挡层(7)和p型限制层(8)，其特征在于电子阻挡层导带电势高于p型限制层导带电势。

3.根据专利要求1或2所述的一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构，其特征在于缓冲层(2)是和衬底材料晶格常数相等或接近的材料，如GaSb、AlSb等。

4.根据专利要求1或2所述的一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构，其特征在于n型限制层(3)、下波导层(4)、上波导层(6)、电子阻挡层(7)、p型限制层(8)是可以和衬底匹配的材料,如AlGaAsSb、AlInGaAsSb等。

5.根据专利要求1或2所述的一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构，其特征在于有源区(5)是InGaAsSb/AlGaAsSbI型量子阱、GaAsSb/GaAsII型量子阱或InAs/(In)GaSb破隙型量子阱。

6.根据专利要求1、2或4所述的一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构，其特征在于电子阻挡层(7)是非掺杂的。

7.根据专利要求1、2或4所述的一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构，其特征在于电子阻挡层(7)的组分是变化的，其中Al组分变化范围是从0到1。

8.根据专利要求7所述的一种具有电子阻挡层的GaSb基中红外激光器的外延结构，其特征在于电子阻挡层(7)中Al组分沿着从p型波导层到p型限制层的方向增加。