[发明专利]带有微反射镜的硅基V型槽制备方法

权利要求书

1.一种带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)用丙酮、乙醇-超声波对Si片进行标准清洗；

2)将Si片在HF水溶液中浸泡1～2分钟；

3)去离子水冲洗，使用氮气吹干Si片并移入热氧化炉中进行湿氧氧化；

4)氧化完成后取出Si片放入快速热退火炉中，对Si片进行快速热退火；

5)进行光刻、显影；

6)显影完成的Si片，用氮气吹干后，用HF溶液对SiO₂进行腐蚀；

7)使用KOH水溶液对Si进行腐蚀；

8)使用磁控溅射技术对腐蚀完成的V型槽及微反射镜进行镀膜。

2.根据专利要求1所述的带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，其特征在于，步骤2)及7）中HF水溶液的摩尔比为：HF：（NH₄）F：H₂O=3:6:10。

3.根据专利要求1所述的带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，其特征在于，步骤3)氧化炉温度为1200℃，水蒸气条件下进行，时间为45min，达到目标厚度1um。

4.根据专利要求1所述的带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，其特征在于，步骤4)的过程为：在氮气条件下进行，快速升温20秒，达到目标温度（400℃～1200℃），进行退火80秒，然后再迅速降至室温。

5.根据专利要求1所述的带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，其特征在于，步骤7）中KOH水溶液的质量比为KOH：IPA：H2O=2:1:10。

6.根据专利要求1带有微反射镜的硅基V型槽制备方法，其特征在于，步骤8)中沉积反射薄膜的反应源分别是二氧化硅和硅，薄膜厚度通过原子层反应循环的周期次数调节。交替生长SiO2厚度144nm，Si厚度57nm三对即SiO2/Si/SiO2/Si/SiO2/Si，此时高反膜的反射率接近100%，然后镀一层SiO2作为增透膜以及防止Si氧化的保护膜。