[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括步骤：

在以第一温度加热衬底时，在所述衬底上形成第一无机绝缘膜；

在所述第一无机绝缘膜上形成氧化物半导体层；

在以第二温度加热所述衬底时，在所述氧化物半导体层上形成包含氧化硅的第二无机绝缘膜；以及

在形成所述第二无机绝缘膜之后以大于或等于300℃进行加热处理，

其中，所述第二温度低于或等于300℃，

其中，在形成所述氧化物半导体层之后并且在形成所述第二无机绝缘膜之前的时期期间，所述氧化物半导体层没有被以大于或等于300℃加热，

其中，通过所述加热处理降低所述第二无机绝缘膜中的氮密度，

其中在所述第二无机绝缘膜中的氢密度为大于或等于5×10²⁰/cm³，以及

其中在所述第二无机绝缘膜中的所述氮密度为大于或等于1×10¹⁹/cm³。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第二无机绝缘膜至少使用N₂O气体形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在所述加热处理之后在所述第二无机绝缘膜上形成布线的步骤。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二温度低于所述第一温度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，其中在大气气氛下或氮气氛下进行所述加热处理。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述氧化物半导体层是由InMO₃（ZnO）_m（m＞0）表示的薄膜，

并且其中，M表示选自Ga、Fe、Ni、Mn或Co中的一种或多种金属元素。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述氧化物半导体层包含铟、镓以及锌。

8.一种半导体装置的制造方法，包括步骤：

在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；

在以第一温度加热所述衬底时，在所述栅电极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成源电极及漏电极；

在以第二温度加热所述衬底时，在所述氧化物半导体层上形成包含氧化硅的无机绝缘膜；以及

在形成所述无机绝缘膜之后进行大于或等于300℃且小于或等于所述衬底的应变点的加热处理，

其中，所述第二温度低于或等于300℃，

其中，在形成所述氧化物半导体层之后并且在形成所述无机绝缘膜之前的时期期间，所述氧化物半导体层没有被以大于或等于300℃加热，

其中，通过所述加热处理降低所述无机绝缘膜中的氮密度，

其中在所述无机绝缘膜中的氢密度为大于或等于5×10²⁰/cm³，以及

其中在所述无机绝缘膜中的所述氮密度为大于或等于1×10¹⁹/cm³。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中所述无机绝缘膜至少使用N₂O气体形成。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，还包括在所述加热处理之后在所述无机绝缘膜上形成布线的步骤。

11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二温度低于所述第一温度。

12.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，其中在大气气氛下或氮气氛下进行所述加热处理。

13.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，

其中，所述氧化物半导体层是由InMO₃（ZnO）_m（m＞0）表示的薄膜，

并且其中，M表示选自Ga、Fe、Ni、Mn或Co中的一种或多种金属元素。

14.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，所述氧化物半导体层包含铟、镓以及锌。