[发明专利]一种空间中性原子成像装置

权利要求书

1.一种空间中性原子成像装置，其特征在于，包括若干个沿圆周向分布的成像单元，相邻的成像单元之间的夹角相同；该成像单元包括：准直器、偏转电极板、半导体传感器和编码调制板，所述的准直器、编码调制板、偏转电极板及半导体传感器由上至下依次连接，所述的半导体传感器和编码调制板平行设置，所述的偏转电极板成对平行排列于半导体传感器和编码调制板之间，且该偏转电极板与编码调制板垂直；所述准直器用于限定中性原子的空间测量范围；所述编码调制板用于筛选空间测量范围内的中性原子进行透过；所述偏转电极板用于偏转过滤所述空间测量范围内的带电粒子；所述半导体传感器用于测量中性原子的能量。

2.根据权利要求1所述的空间中性原子成像装置，其特征在于，所述的偏转电极板采用铝合金材料制成。

3.根据权利要求1所述的空间中性原子成像装置，其特征在于，所述的编码调制板采用铜制材料制成，该编码调制板采用“遮挡-空隙”周期性栅网结构。

4.根据权利要求1所述的空间中性原子成像装置，其特征在于，所述的半导体传感器采用像素型硅质传感器，该像素型硅质传感器上的每个像素点独立输出信号。

5.根据权利要求4所述的空间中性原子成像装置，其特征在于，所述像素型硅质传感器中的每个像素面积为10mm×10mm，且所有像素特性保持一致。

6.根据权利要求1所述的空间中性原子成像装置，其特征在于，所述的成像单元的数量至少为10个，用于实现至少36度的圆周向分辨。

7.根据权利要求1所述的空间中性原子成像装置，其特征在于，所述的偏转电极板的高度为210mm，成对的两块偏转电极板的间距为10mm。

8.根据权利要求1所述的空间中性原子成像装置，其特征在于，所述的编码调制板采用铜质材料制成，其厚度为0.5mm。

9.根据权利要求1所述的空间中性原子成像装置，其特征在于，所述的编码调制板与半导体传感器的间距为210mm。