[发明专利]一种大容量薄膜电容的绝缘封装材料有效
申请号: | 201410347814.2 | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN104130547B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 殷争艳;张静 | 申请(专利权)人: | 无锡东润电子材料科技有限公司 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08L75/08;C08K3/36;C08K7/10;C08K3/22;C08G18/48 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)32228 | 代理人: | 聂汉钦 |
地址: | 214161 江苏省无锡市新区44*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 容量 薄膜 电容 绝缘 封装 材料 | ||
1.一种大容量薄膜电容的绝缘封装材料,其特征在于,所述绝缘封装材料由A、B两种组分混合而成,A组分与B组分重量比为100:90~100;
所述A组分的原料及各原料的质量百分数为:
所述B组分的原料及各原料的质量百分数为:
2.一种大容量薄膜电容绝缘封装材料的制备方法,其特征在于具体制备步骤如下:
(1)自制柔顺性的聚氨酯:将多元醇树脂85~95%除水后,与多异氰酸酯5~15%加入反应釜中,通氮气保护,于55~70℃反应至粘度不再增加为止,降温至30~40℃,过滤出料,得到自制羟基封端的柔顺性聚氨酯;
(2)制备A组分:将环氧树脂20~40%,导热补强填料50~70%,自制柔顺性聚氨酯5~10%,消泡剂0.5~1.5%,按照质量百分比混合,加入高速分散釜中,升温至70~90℃,搅拌90~120min,冷却至40~60℃,过滤放料得到A组分;
(3)制备B组分:将酸酐25~35%、自制柔顺性聚氨酯2~5%、导热补强填料60~70%,固化促进剂0.5~1%、防沉降剂0.1~0.5%、抗氧剂0.1~1%,按照质量百分比混合,加入高速反应釜中,升温至40~60℃,搅拌90~120min,过滤放料得到B组分。
3.根据权利要求1所述的大容量薄膜电容的绝缘封装材料,其特征在于所述步骤(2)所得的A组分与步骤(3)所得的B组分按照比例混合,搅拌均匀真空脱泡后灌注,于70~80℃固化2~3h,100~110℃老化6~8h即得固化封装材料。
4.根据权利要求2所述的大容量薄膜电容的绝缘封装材料,其特征在于所述步骤(1)中的多元醇树脂为聚乙二醇400、聚四氢呋喃醚二醇250中的至少一种;多异氰酸酯为甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的大容量薄膜电容的绝缘封装材料,其特征在于所述步骤(1)中的最佳反应时间为4~10小时,产物为均一稳定、无色至浅黄色透明液体。
6.根据权利要求1或2所述的大容量薄膜电容的绝缘封装材料,其特征在于所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂E-51、脂环族环氧树脂ERL-4221中的至少一种;消泡剂为高分子聚硅氧烷类、丙烯酸酯类聚合物中的至少一种。
7.根据权利要求1或2或6所述的大容量薄膜电容的绝缘封装材料,其特征在于所述消泡剂为BYK-A530、BYK-354中的至少一种。
8.根据权利要求1或2所述的大容量薄膜电容的绝缘封装材料,其特征在于所述导热补强填料为硅微粉、针状硅灰石粉、氧化铝、氧化镁中的至少一种。
9.根据权利要求1或2所述的大容量薄膜电容的绝缘封装材料,其特征在于所述酸酐为甲基四氢苯酐、甲基六氢苯酐、甲基纳迪克酸酐中的至少一种。
10.根据权利要求1或2所述的大容量薄膜电容的绝缘封装材料,其特征在于所述促进剂为DMP-30、改性咪唑促进剂中的至少一种;所述防沉降剂为BYK-430、BYK-W995中的至少一种;所述抗氧剂为2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚、四(4-羟基-3,5-叔丁基苯基丙酸)季戊四醇酯、吩噻嗪中的至少一种。
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