[发明专利]硅片扩散处理方法及太阳能电池片的制造方法有效
| 申请号： | 201410348506.1 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104157728B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张朝坤 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 扩散 处理 方法 太阳能电池 制造 | ||
1.一种硅片扩散处理方法，其特征在于，在对所述硅片进行扩散源沉积之前，对所述硅片进行氧化处理，所述氧化处理依次包括如下步骤：
保持温度在750℃，通入流量为6L/分钟的纯氮气对所述硅片处理5分钟；
在50分钟内，将温度从750℃匀速升温至1100℃，并通入流量为6L/分钟的纯氮气对所述硅片进行处理；
保持温度在1100℃，通入流量为6L/分钟的氧气与流量为150cc/分钟的含氯乙酰氯的氮气的混合气体对所述硅片处理15分钟，其中，所述含氯乙酰氯的氮气是以流量为150cc/分钟的氮气对液体氯乙酰氯进行鼓泡后得到的含有氯乙酰氯的氮气；
保持温度在1100℃，通入流量为5.2L/分钟的氧气、流量为8L/分钟的氢气以及流量为150cc/分钟的含氯乙酰氯的氮气的混合气体对所述硅片处理3.5～4.5小时，其中，所述含氯乙酰氯的氮气是以流量为150cc/分钟的氮气对液体氯乙酰氯进行鼓泡后得到的含有氯乙酰氯的氮气；
保持温度在1100℃，通入流量为6L/分钟的氧气与流量为150cc/分钟的含氯乙酰氯的氮气的混合气体对所述硅片处理20分钟，其中，所述含氯乙酰氯的氮气是以流量为150cc/分钟的氮气对液体氯乙酰氯进行鼓泡后得到的含有氯乙酰氯的氮气；
在100分钟内，将温度从1100℃匀速降温到750℃，并通入流量为6L/分钟的纯氮气对所述硅片进行处理。
2.如权利要求1所述的硅片扩散处理方法，其特征在于，还包括在进行所述氧化处理之前对所述硅片进行的预沉积处理，所述预沉积处理依次包括如下步骤：
保持温度在600℃，通入流量为8L/分钟的纯氮气对所述硅片处理5分钟；
保持温度在900℃，通入流量为8L/分钟的纯氮气对所述硅片处理50分钟；
保持温度在900℃，通入流量为8L/分钟的纯氮气以及流量为600cc/分钟的氧气的混合气体对所述硅片处理5分钟；
在50分钟内，将温度从900℃匀速升温至1180℃，并通入流量为8L/分钟的纯氮气以及流量为600cc/分钟的氧气的混合气体对所述硅片处理50分钟；
保持温度在1180℃，通入流量为8L/分钟的纯氮气以及流量为600cc/分钟的氧气的混合气体对所述硅片处理10分钟；
保持温度在1180℃，通入流量为8L/分钟的纯氮气以及流量为600cc/分钟的氧气的混合气体对所述硅片处理15秒；
保持温度在1180℃，通入流量为8L/分钟的纯氮气、流量为600cc/分钟的氧气以及流量为1.2L/分钟的含三氯氧磷的氮气的混合气体对所述硅片处理13小时，其中，所述流量为1.2L/分钟的含三氯氧磷的氮气是以流量为1.2L/分钟的氮气对液体三氯氧磷进行鼓泡后得到的含有三氯氧磷的氮气；
保持温度在1180℃，通入流量为8L/分钟的纯氮气以及流量为600cc/分钟的氧气的混合气体对所述硅片处理15秒；
保持温度在1180℃，通入流量为8L/分钟的纯氮气以及流量为600cc/分钟的氧气的混合气体对所述硅片处理30分钟；
保持温度在1180℃，通入流量为8L/分钟的纯氮气对所述硅片处理1秒；
保持温度在1180℃，通入流量为8L/分钟的纯氮气以及流量为3L/分钟的氧气的混合气体对所述硅片处理15分钟；
在2小时内将温度从1180℃匀速降温至900℃，并通入流量为8L/分钟的纯氮气对所述硅片进行处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
