[发明专利]一种微波功率器件栅极的版图设计方法

权利要求书

1.一种微波功率器件栅极的版图设计方法，包括有源区，源电极，漏电极，栅极版图，其特征是所述的源电极与漏电极分别位于所述的栅极版图的两侧，所述的上述部件都在有源区上，所述的栅极版图中间是中心条与紧贴中心条两侧是外围条同在一图层。

2.根据权利要求1所述的一种微波功率器件栅极的版图设计方法，其特征是所述的版图结构是单指结构或者多指结构。

3.根据权利要求2所述的一种微波功率器件栅极的版图设计方法，其特征是所述的栅极版图小于1微米，所述的中心条小于100纳米。

4.根据权利要求3所述的一种微波功率器件栅极的版图设计方法，其特征是所述的源电极与漏电极之间的距离小于20微米。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种微波功率器件栅极的版图设计方法，其特征是所述的有源区是半导体衬底氮化镓。

6.根据权利要求5所述的一种微波功率器件栅极的版图设计方法的制造方法，其特征是具体步骤为：

①有源区上放置源电极、漏电极、栅极版图；

②在源电极、漏电极、栅极版图上覆盖一层光刻胶；

③在光刻胶上单次扫描式曝光栅极版图中的中心条和其他区域；

④撤掉栅极版图，擦掉光刻胶溶解的部分，出现T型三维立体结构。

7.根据权利要求6所述的一种微波功率器件栅极的版图设计方法的制造方法，其特征是所述的步骤③中曝光中心条的曝光剂量因子设为2.0-3.0，其他区域曝光剂量因子设为0.4-0.6。

8.根据权利要求7所述的一种微波功率器件栅极的版图设计方法的制造方法，其特征是所述的步骤③中单次扫描式曝光方式为电子束曝光，激光直写，双光子光刻中的一种。