[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

多层衬底，其包括中心绝缘层、设置在所述中心绝缘层的上表面上的上布线层和设置在所述中心绝缘层的下表面上的第一下布线层；

第一半导体芯片，其设置在所述上布线层上并经由穿透所述上布线层和所述中心绝缘层的穿透凸块连接至所述第一下布线层的埋置式下焊盘；以及

第二半导体芯片，其按照偏移结构层叠在所述第一半导体芯片上，使得所述第二半导体芯片从所述第一半导体芯片水平地突出，所述第二半导体芯片经由上凸块连接至所述上布线层的上焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

多个第一芯片焊盘设置在所述第一半导体芯片的面对所述多层衬底的第一表面上，并且所述穿透凸块将所述第一芯片焊盘连接至所述下焊盘，并且

多个第二芯片焊盘设置在所述第二半导体芯片的面对所述多层衬底的第一表面的突出部分上，并且所述上凸块将所述第二芯片焊盘连接至所述上焊盘。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第一芯片焊盘布置在所述第一半导体芯片的第一表面的不与所述第二半导体芯片重叠的部分上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

所述穿透凸块中的每一个的厚度对应于至少所述上布线层和所述中心绝缘层的厚度之和，并且所述穿透凸块中的每一个将所述第一半导体芯片的第一芯片焊盘连接至所述下焊盘中的对应的下焊盘，以及

所述上凸块中的每一个的厚度对应于至少所述第一半导体芯片的厚度，并且所述上凸块中的每一个将所述第二半导体芯片的第二芯片焊盘连接至所述上焊盘中的对应的上焊盘。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

所述多层衬底包括覆盖所述上布线层的上保护层和覆盖所述第一下布线层的下保护层，

所述穿透凸块穿过所述上保护层、上布线层和中心绝缘层连接至所述下焊盘，并且

所述上凸块穿过所述上保护层连接至所述上焊盘。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

所述第一下布线层的一部分构成所述下焊盘，并且

所述上布线层的一部分构成所述上焊盘。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

形成在所述第一下布线层上的导电层构成下焊盘，并且

形成在所述上布线层上的导电层构成上焊盘。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

多个通孔形成在所述多层衬底中，所述多个通孔穿透所述上布线层和所述中心绝缘层，并且

侧壁导电层形成在所述多个通孔中的一些通孔中，所述侧壁导电层将所述上布线层连接至所述第一下布线层。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二半导体芯片经由附着膜或液体粘合剂附着至所述第一半导体芯片。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二半导体芯片在没有附着介质的情况下层叠在所述第一半导体芯片上，并且通过所述上凸块和密封件固定至所述第一半导体芯片，所述密封件密封所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片在没有附着介质的情况下层叠在所述多层衬底上，并且通过所述穿透凸块和密封件固定至所述多层衬底，所述密封件密封所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多层衬底还包括设置在所述第一下布线层的下表面上的至少一个下绝缘层。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，第二下布线层形成在所述至少一个下绝缘层上。

14.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括设置在所述第二半导体芯片上的至少一个上半导体芯片。