[发明专利]谐振传感器、其制造方法以及用于谐振传感器的多层结构

说明书

本发明要求于2013年7月24日提交的日本专利申请第2013-153874号的优先权，其内容通过引用并入于此。

技术领域

本发明涉及谐振传感器、其制造方法以及用于谐振传感器的多层结构。

背景技术

已知谐振传感器是一种用于检测物理应力的传感器。例如，谐振传感器包括真空腔室、设置在腔室中的微谐振器以及检测微谐振器的振动的振动检测器。如日本未审查专利申请公开第2012-58127号所示出的，腔室、微谐振器和振动检测器被设置在硅衬底(硅晶圆)中。

发明内容

谐振传感器的制造方法可以包括单晶硅衬底；单晶硅谐振器，其设置在单晶硅衬底上方；由硅制成的壳体，其带间隙地围绕谐振器，并且与单晶硅衬底一起形成腔室；激励模块，其被配置为激发谐振器；振动检测模块，其被配置为检测谐振器的振动；第一层，其设置在腔室上方，该第一层具有通孔；第二层，其设置在第一层上方；第三层，其覆盖第一层和第二层；以及从第二层朝向谐振器延伸的突起，该突起在空间上与谐振器分离，该突起与第一层隔开第一间隙，第二层与第一层隔开第二间隙，第一间隙与第二间隙连通。

附图说明

图1是示出第一实施例的谐振传感器的截面图。

图2是示出第一实施例的谐振传感器的平面图。

图3是谐振器和壳体的主要部分周围的放大截面图。

图4是示出通孔形状的放大示意性立体图。

图5是示出谐振传感器的电路图。

图6是示出用于描述第一实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图7是示出用于描述第一实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图8是示出用于描述第一实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图9是示出用于描述第一实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图10是示出用于描述第一实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图11是示出用于描述第一实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图12是示出用于描述第一实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图13是示出用于描述第一实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图14是示出用于描述第一实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图15是示出用于描述第一实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图16是示出第二实施例的谐振传感器的主要部分的放大示意性立体图。

图17是出第三实施例的谐振传感器的主要部分的放大示意性立体图。

图18是出第四实施例的谐振传感器的主要部分的放大示意性立体图。

图19是示出用于描述第二实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图20是示出用于描述第二实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图21是示出用于描述第二实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图22是示出用于描述第二实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图23是示出用于描述第二实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图24是示出用于描述第三实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图25是示出用于描述第三实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图26是示出用于描述第三实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图27是示出用于描述第三实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图28是示出用于描述第三实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图29是示出用于描述第三实施例的谐振传感器的制造方法的谐振传感器的截面图。

图30是示出现有技术的谐振传感器的主要部分的示例性截面图。

图31是用于描述在现有技术的谐振传感器的制造方法中排放刻蚀液体的条件的示图。

具体实施方式

在描述一些实施例之前，将参照一幅或多幅附图来解释现有技术以利于对各实施例的理解。