[发明专利]多晶硅引晶装置及其引晶方法

权利要求书

1.一种多晶硅引晶装置，包括坩埚（5）、块状原生多晶（3）和碎硅片（2），在坩埚（5）的内表面上均匀地设置有氮化硅喷涂层（4），其特征在于，在坩埚（5）的埚内埚底面上设置的氮化硅喷涂层（4）上活动均布有氮化硅球状颗粒（1），在氮化硅球状颗粒（1）上设置有碎硅片层（2），在碎硅片层（2）上设置有块状原生多晶（3）。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅引晶装置，其特征在于，氮化硅球状颗粒（1）的直径为0.5-1.5毫米。

3.根据权利要求2所述的一种多晶硅引晶装置，其特征在于，氮化硅球状颗粒（1）的直径为0.6毫米或0.8毫米或1.0毫米或1.2毫米或1.5毫米。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种多晶硅引晶装置，其特征在于，碎硅片层（2）的厚度为10毫米。

5.一种多晶硅引晶方法，包括以下步骤：

第一步、在坩埚（5）的埚内侧面和埚内埚底面上均匀地喷涂氮化硅喷涂层（4）；

第二步、当坩埚（5）内的氮化硅喷涂层（4）干燥后，将一些碎硅片作为铺底材料均匀地铺设到坩埚（5）的埚内底面上；

第三步、将氮化硅球状颗粒（1）均布到埚内底面上的作为铺底材料的碎硅片中，并使氮化硅球状颗粒（1）与坩埚（5）的埚内埚底面上喷涂的氮化硅喷涂层（4）接触；

第四步、在作为铺底材料的碎硅片上，缓慢地分批少量地由上竖直往下地撒入更多的碎硅片，直到碎硅片层（2）的厚度达到10毫米后为止；

第五步、在第四步完成的碎硅片层（2）上装入块状原生多晶（3）；

第六步、将装好料的坩埚放入铸锭炉中，进行加热、引晶、长晶的生产工艺过程。