[发明专利]Z源逆变器RCD缓冲电路及含有该缓冲电路的Z源逆变器拓扑电路有效
申请号: | 201410350072.9 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN104092363A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 张千帆;董帅;周超伟;那拓扑;李为汉 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H02M1/34 | 分类号: | H02M1/34;H02M7/5387 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 张利明 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 逆变器 rcd 缓冲 电路 含有 拓扑 | ||
1.Z源逆变器RCD缓冲电路,它包括:二极管(DS)、电阻(RS)和电容(CS);
所述二极管(DS)的正极连接电阻(RS)的一端,二极管(DS)的负极连接电容(CS)的一端;
其特征在于,它还包括:开关(SS);
电阻(RS)的另一端连接开关(SS)的一端,开关(SS)的另一端同时连接二极管(DS)的负极和电容(CS)的一端;
二极管(DS)的正极与电阻(RS)的一端同时作为Z源逆变器RCD缓冲电路的正极;
电容(CS)的另一端作为Z源逆变器RCD缓冲电路的负极。
2.根据权利要求1所述的Z源逆变器RCD缓冲电路,其特征在于,所述开关(SS)为IGBT。
3.根据权利要求1所述的Z源逆变器RCD缓冲电路,其特征在于,所述开关(SS)为MOSFET。
4.根据权利要求1、2或3所述的Z源逆变器RCD缓冲电路,其特征在于,所述二极管(DS)为快恢复二极管。
5.根据权利要求1、2或3所述的Z源逆变器RCD缓冲电路,其特征在于,所述电阻(RS)为无感电阻。
6.根据权利要求1、2或3所述的Z源逆变器RCD缓冲电路,其特征在于,所述电容(CS)为无感电容。
7.含有权利要求1所述的Z源逆变器RCD缓冲电路的Z源逆变器拓扑电路,其特征在于,它包括:电源(Vin)、一号二极管(D)、一号电感(L1)、二号电感(L2)、一号电解电容(C1)、二号电解电容(C2)、一号IGBT(V1)、二号IGBT(V2)、三号IGBT(V3)、四号IGBT(V4)、五号IGBT(V5)、六号IGBT(V6)和Z源逆变器RCD缓冲电路;
电源(Vin)的正极连接一号二极管(D)的正极,电源(Vin)的负极同时连接二号电解电容(C2)的负极和二号电感(L2)的一端,
一号二极管(D)的负极同时连接一号电感(L1)的一端和一号电解电容(C1)的正极,
一号电感(L1)的另一端同时连接二号电解电容(C2)的负极、Z源逆变器RCD缓冲电路的正极、一号IGBT(V1)的集电极、三号IGBT(V3)的集电极和五号IGBT(V5)的集电极,
二号电感(L2)的另一端同时连接一号电解电容(C1)的负极、Z源逆变器RCD缓冲电路的正极、二号IGBT(V2)的发射极、四号IGBT(V4)的发射极和六号IGBT(V6)的发射极,
一号IGBT(V1)的发射极与四号IGBT(V4)的集电极连接,并作为Z源逆变器拓扑电路的第一输出端,
三号IGBT(V3)的发射极与六号IGBT(V6)的集电极连接,并作为Z源逆变器拓扑电路的第二输出端,
五号IGBT(V5)的发射极与二号IGBT(V2)的集电极连接,并作为Z源逆变器拓扑电路的第三输出端,
一号IGBT(V1)、二号IGBT(V2)、三号IGBT(V3)、四号IGBT(V4)、五号IGBT(V5)和六号IGBT(V6)的两端均反并联一个二极管。
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