[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具备：

衬底载置台，其载置衬底；

处理气体供给部，其从所述衬底载置台的上方侧向所述衬底的表面上供给处理气体；

惰性气体供给部，其在所述处理气体供给部的两侧方从所述衬底载置台的上方侧向所述衬底的表面上供给惰性气体；

第1气体排气部，其在所述处理气体供给部与所述惰性气体供给部之间且在所述处理气体供给部的两侧方将供给到所述衬底的表面上的所述处理气体经由处理气体排气孔向所述衬底的上方侧排气；

第2气体排气部，其在所述第1气体排气部与所述惰性气体供给部之间将供给到所述衬底的表面上的所述惰性气体经由惰性气体排气孔向所述衬底的上方侧排气，通过构成为使所述惰性气体排气孔具有比所述处理气体排气孔的孔径更大的孔径、或使所述惰性气体排气孔具有与所述处理气体排气孔的孔内壁面的表面状态不同的表面状态的孔内壁面，所述第2气体排气部相对于所述第1气体排气部具有高的排气流导；

与所述第1气体排气部连接且控制所述处理气体的排气的第1压力控制器；以及

与所述第2气体排气部连接且控制所述惰性气体的排气的第2压力控制器。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述第1气体排气部在所述处理气体供给部与所述惰性气体供给部之间相较于所述惰性气体供给部而与所述处理气体供给部接近地配置，

所述第2气体排气部在所述处理气体供给部与所述惰性气体供给部之间相较于所述处理气体供给部而与所述惰性气体供给部接近地配置。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，具备：

盒部，其构成为具有所述处理气体供给部、所述惰性气体供给部及所述第1气体排气部、第2气体排气部；和

移动机构，其使所述衬底载置台与所述盒部之间的相对位置移动。

4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

具备以放射状配置的多个所述盒部，

所述移动机构使所述衬底载置台与所述盒部之间的相对位置以所述放射状的中心为旋转轴而沿旋转方向移动，

所述衬底载置台构成为沿所述旋转方向载置有多片所述衬底。

5.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，

构成为具备多个所述盒部，并且各盒部中的所述处理气体供给部供给不同种类的处理气体。

6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

相对于所述处理气体供给部的下表面，所述惰性气体供给部的下表面与所述衬底接近地配置。

7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其特征在于，

相对于所述第1气体排气部、第2气体排气部中的、在所述处理气体供给部与所述惰性气体供给部之间相较于所述惰性气体供给部而接近所述处理气体供给部的所述第1气体排气部的下表面，所述惰性气体供给部的下表面与所述衬底接近地配置。

8.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其特征在于，

相对于所述第1气体排气部、第2气体排气部中的、在所述处理气体供给部与所述惰性气体供给部之间相较于所述惰性气体供给部而接近所述处理气体供给部的所述第1气体排气部的下表面，所述第1气体排气部、第2气体排气部中的、在所述处理气体供给部与所述惰性气体供给部之间相较于所述处理气体供给部而接近所述惰性气体供给部的所述第2气体排气部的下表面与所述衬底接近地配置。

9.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

相对于所述第1气体排气部、第2气体排气部中的、在所述处理气体供给部与所述惰性气体供给部之间相较于所述惰性气体供给部而接近所述处理气体供给部的所述第1气体排气部，所述第1气体排气部、第2气体排气部中的、在所述处理气体供给部与所述惰性气体供给部之间相较于所述处理气体供给部而接近所述惰性气体供给部的所述第2气体排气部具有更高的排气能力。