[发明专利]背光电路和背光源有效

专利信息
申请号: 201410350492.7 申请日: 2014-07-22
公开(公告)号: CN104159365B 公开(公告)日: 2017-04-05
发明(设计)人: 张大宇 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 彭瑞欣,陈源
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 背光 电路 背光源
【说明书】:

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域,具体地,涉及一种背光电路和包括该背光电路的背光源。

背景技术

在显示装置的背光驱动电路包括电源、驱动芯片和发光二极管灯串,电源提供电压,驱动芯片生成一个脉冲调制信号(PWM),该信号可以统一控制流经每一串灯的平均电流。电源提供统一的电压,由于每一组LED灯串的压降不同,因而可以通过控制与LED灯串相连的开关管上的压降,从而使得流过各LED灯串的电流恒定。但是当各LED灯串的压降相差较大时,相应的开关管上的压降较大,使得开关管的功耗较大,导致驱动芯片温度较高,从而引起面板上出现黑点。

在公开号为CN102682721的专利中公开了一种LED背光系统及显示装置,其背光系统包括电压模块、LED阵列、主控开关模块、电流检测模块、电流均衡模块以及分流模块。通过分流模块对均衡开关单元分流,以减小流过均衡开关单元的电流,从而降低电流均衡模块的功耗,进而降低驱动芯片的温度。但是该方法的前提是流经某一串LED灯串的电流发生变化导致LED灯串的亮度变化,而对于电流处于正常值的情况不作调节,而实际上各LED灯串正常发光时,由于多个LED灯串本身的差异还是会造成部分LED灯串上功耗损失较大,因而该方法具有一定的局限性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种背光电路和包括该背光电路的背光源,以有效地降低每个灯串上的功耗损失,从而降低背光电路的温度。

为了实现上述目的,本发明提供一种背光电路,包括:供电单元和多个灯串,每个所述灯串包括串联的发光件组和反馈电阻,所述背光电路还包括与多个所述灯串一一对应的多个调节单元,该调节单元用于调节流过所述灯串的电流,使得每个所述发光件组的负极端的电位均不大于预设电压值。

优选地,所述灯串还包括开关管,所述开关管的控制端与所述调节单元相连,所述开关管的一端与所述发光件组相连,另一端与所述反馈电阻相连,所述调节单元能够调节所述开关管的导通程度,以调节流过所述灯串的电流。

优选地,所述调节单元包括比较模块,控制模块和电流调节模块;

所述比较模块与所述发光件组的负极端相连,用于比较所述发光件组的负极端的电位与所述预设电压值;

所述控制模块与所述比较模块相连,用于根据所述比较模块的比较结果输出相应的控制信号,以控制所述开关管的导通程度;

所述电流调节模块的输入端分别与所述控制模块以及所述反馈电阻相连,所述电流调节模块的输出端与所述开关管的控制端相连,用于根据所述控制模块所输出的控制信号调节所述开关管的导通程度,以使所述反馈电阻所反馈的信号与所述控制信号相对应。

优选地,所述比较模块包括第一电压比较器件,该第一电压比较器件的正向输入端与所述发光件组的负极端相连,所述第一电压比较器件的反向输入端用于输入所述预设电压值,所述第一电压比较器件的输出端与所述控制模块相连。

优选地,所述控制模块输出的控制信号包括幅度控制信号和占空比控制信号,所述电流调节模块包括幅度调节子模块和占空比调节子模块,

所述幅度调节子模块用于接收所述控制模块生成的幅度控制信号,并根据该幅度控制信号生成相应的幅度调节信号,以调节所述开关管的导通程度;

所述占空比调节子模块用于接收所述控制模块生成的占空比控制信号,并根据该占空比控制信号生成相应的占空比调节信号,以调节所述开关管的导通时间。

优选地,所述幅度调节子模块输出的所述幅度调节信号能够增大流过所述灯串的电流的幅度,所述占空比调节子模块输出的所述占空比调节信号能够减小流过所述灯串的电流的占空比,且电流的幅度增大的倍数与所述电流的占空比减小的倍数相等。

优选地,所述幅度调节子模块包括数模转换器件和第二电压比较器件,所述数模转换器件的输入端与所述控制模块相连,所述数模转换器件的输出端与所述第二电压比较器件的正向输入端相连,所述第二电压比较器件的反向输入端与所述反馈电阻的输入端相连,所述第二电压比较器件的输出端与所述开关管的控制端相连,以使得所述第二电压比较器件输出幅度调节信号。

优选地,所述占空比调节子模块包括选通开关器件,该选通开关器件的控制端与所述控制模块相连,用于根据所述控制模块输出的占空比控制信号选择性地导通,所述选通开关器件的输入端与所述第二电压比较器件的输出端相连,所述选通开关器件的输出端与所述开关管的控制端相连。

优选地,所述开关管为N沟道型金属-氧化物-半导体场效应晶体管。

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