[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有核心区和外围区；

在所述衬底表面形成第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部位于所述核心区内，所述第二鳍部位于所述外围区内；

在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层的表面低于所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面，且所述隔离层覆盖所述第一鳍部和第二鳍部的部分侧壁表面；

在形成所述隔离层之后，在所述第一鳍部和第二鳍部的侧壁和顶部表面形成第一氧化层；

对所述核心区的第一氧化层进行氧化处理；

在所述氧化处理之后，对所述核心区的第一氧化层进行刻蚀。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述刻蚀工艺之后，所述第一鳍部的侧壁和顶部表面具有未被刻蚀的部分第一氧化层；重复一次或若干次所述对核心区的第一氧化层所进行的氧化处理、以及所述氧化处理之后的刻蚀工艺，直至去除所述核心区的第一氧化层，并暴露出所述第一鳍部的侧壁和顶部表面为止。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，重复1次、2次或3次所述对核心区的第一氧化层所进行的氧化处理、以及所述氧化处理之后的刻蚀工艺。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为各向同性的干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺为SiCoNi工艺，所述SiCoNi工艺的参数包括：功率10W～100W，刻蚀气体包括NH₃、NF₃、He，其中，NH₃的流量为0sccm～500sccm，NF₃的流量为20sccm～200sccm，所述NF₃和NH₃的比例小于等于2:10，He的流量为400sccm～1200sccm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述核心区的第一氧化层进行刻蚀之后，暴露出所述第一鳍部的侧壁和顶部表面。

6.如权利要求2或5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在暴露出所述第一鳍部的侧壁和顶部表面之后，采用化学氧化工艺在所述第一鳍部的侧壁和顶部表面形成第二氧化层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第二氧化层之后，在所述第二氧化层表面形成横跨于所述第一鳍部上的栅极结构。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：位于第二氧化层表面的栅介质层、以及位于栅介质层表面的栅极层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为高K介质材料；所述栅极层的材料为金属。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理工艺包括：采用通入臭氧的水溶液对核心区的第一氧化层进行处理。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述通入臭氧的水溶液中，臭氧在水中的浓度为3ppm～50ppm。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述核心区的第一氧化层进行氧化处理之前，在外围区的第一氧化层表面形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，对核心区的第一氧化层进行氧化处理和刻蚀。