[发明专利]编程多个存储单元及存储器的方法及该存储器

权利要求书

1.一种编程多个存储单元的方法，包括：

选择一当前存储单元；

针对该当前存储单元，以第一编程验证电平执行预编程验证操作；

针对该当前存储单元执行编程及编程验证操作，包括施加一串行编程脉冲，该串行编程脉冲包括具有一起始大小的一起始脉冲，该编程及编程验证操作包括使用第二编程验证电平执行编程验证步骤；

在该当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况下，决定下一存储单元的该起始大小，以作为该串行编程脉冲的大小的一函数；

在所述当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况之后，针对该当前存储单元使用第三编程验证电平，其中该第三编程验证电平低于该第二编程验证电平，且该第三编程验证电平等于该第一编程验证电平；以及

重复执行所述选择一当前存储单元的步骤、所述执行预编程验证操作的步骤、所述针对该当前存储单元执行编程及编程验证操作、以及所述决定这些存储单元的下一存储单元的该起始大小。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该当前存储单元以及该下一存储单元分别在不同页，且针对该下一存储单元所决定的该起始大小小于在所述当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况中针对该当前存储单元的该串行编程脉冲的大小；

其中该串行编程脉冲中的这些串行编程脉冲包括大小为渐增的电压，这些大小为渐增的电压被施加在耦接于该当前存储单元的一位线上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述的当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况是在该编程验证步骤的序列中的第一情况，在该编程验证步骤中，该当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证。

4.一种存储器，包括：

多个存储单元；以及

逻辑电路用以：

选择一当前存储单元；

针对该当前存储单元，以第一编程验证电平执行预编程验证操作；

针对该当前存储单元执行编程及编程验证操作，包括施加一串行编程脉冲，该串行编程脉冲包括具有一起始大小的一起始脉冲，该编程及编程验证操作包括使用第二编程验证电平执行编程验证步骤；以及

在该当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况下，决定下一存储单元的该起始大小，以作为该串行编程脉冲的大小的一函数；

其中该逻辑电路用以在所述当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况之后，针对该当前存储单元使用第三编程验证电平，其中该第三编程验证电平低于该第二编程验证电平，且该当前存储单元以及该下一存储单元分别在不同页；

其中该逻辑电路用以重复执行所述选择一当前存储单元、所述执行预编程验证操作、所述针对该当前存储单元执行编程及编程验证操作、以及所述决定这些存储单元的下一存储单元的该起始大小；其中针对该下一存储单元所决定的该起始大小小于在所述当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况中针对该当前存储单元的该串行编程脉冲的大小。

5.根据权利要求4所述的存储器，其中该串行编程脉冲中的这些串行编程脉冲包括大小为渐增的电压，这些大小为渐增的电压被施加在耦接于该当前存储单元的一位线上；

其中所述的当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证的情况是在该编程验证步骤的序列中的第一情况，在该编程验证步骤中，该当前存储单元以该第二编程验证电平通过验证。